本發(fā)明公開了一種含MAX相界面層的SiC
f/SiC
復合材料的制備方法，采用磁控濺射的方法對SiC纖維編織件進行沉積，獲得含MAX相界面層的SiC纖維，然后采用先驅體浸漬裂解的方法陶瓷化獲得SiC
f/SiC復合材料；所述MAX相為Ti
3SiC
2；所述磁控濺射為先采用TiC靶進行磁控濺射，在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1～0.2μm的TiC過鍍層，然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti
3SiC
2，所述Ti
3SiC
2的厚度控制為0.6～1.0μm；本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含MAX相界面層的SiC
f/SiC復合材料，有效降低了沉積溫度，避免了纖維的損傷，所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現有技術常用的C、BN等界面層。同時本發(fā)明采用雙先驅體浸漬法，有效的提升了浸漬效率，并獲得了化學計量比的碳化硅陶瓷。
聲明：
“含MAX相界面層的SiCf/SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
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2025年03月25日 ~ 27日 
