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VO₂合金半導體薄膜及制備方法和應用

1169 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:11:01

本發(fā)明提供了合金半導體薄膜及制備方法和應用，該合金半導體薄膜的化學式為Hf_xW_yV_1?x?yO₂，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，本發(fā)明的合金半導體薄膜，利用HfO₂的帶隙(5.5eV)大于VO₂的帶隙(2.6eV)，使用Hf⁴⁺離子部分取代V⁴⁺離子，來提高VO₂的光學帶隙有效地提升薄膜的可見光透過率。同時，W離子為+6價，在VO₂中摻入W⁶⁺離子相當于引入了載流子，載流子引入越多，越容易驅(qū)動電子相變的發(fā)生，因此降低了相變溫度，選擇Hf⁴⁺離子和W⁶⁺離子部分取代V⁴⁺離子制備了Hf_xW_yV_1?x?yO₂合金體系從而實現(xiàn)了VO₂的高可見光透過率和對其相變溫度的調(diào)節(jié)。

聲明：

“VO₂合金半導體薄膜及制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)