本發(fā)明公開(kāi)了一種激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法及裝備,該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反應(yīng)腔室內(nèi)溫度為250至800℃的襯底材料處,利用波長(zhǎng)與活性氮源分子鍵共振波長(zhǎng)相等的激光束作用于活性氮源氣體,使激光能量直接耦合至活性氮源氣體分子,加速NH鍵的斷裂,提供充足的活性氮源,使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學(xué)反應(yīng),沉積第III族氮化物膜層材料,持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個(gè)襯底并達(dá)到所需厚度。裝備包括真空反應(yīng)腔、氣體預(yù)混合腔、波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器和移動(dòng)機(jī)構(gòu)。本發(fā)明在提高活性氮源利用率和減少環(huán)境污染的基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)低溫環(huán)境下氮化物膜層材料的大面積、快速和高質(zhì)量生長(zhǎng)。
聲明:
“激光輔助低溫生長(zhǎng)氮化物材料的方法與裝備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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