本發(fā)明公開了一種氧化錫多孔薄膜及其制備方 法,屬于一種
功能材料。本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一 種氧化錫多孔薄膜及其制備方法,用這種方法所制成的氧化錫 多孔薄膜,其孔隙率高,比表面積大。本發(fā)明的技術(shù)方案要點(diǎn) 是,氧化錫多孔薄膜,孔徑為0.01-1000μm,孔隙率為20% -70%,比表面積為10m2/g- 150m2/g。氧化錫多孔薄膜的制備 方法,將錫源和有機(jī)酸置于反應(yīng)器中在100-280℃在下攪拌溶 解得到錫的有機(jī)物前驅(qū)體,將上述前驅(qū)體放入馬弗爐內(nèi)在大于 300℃條件下控溫?zé)Y(jié),制成氧化錫多孔薄膜。有機(jī)酸為檸檬 酸或者烏頭酸。錫源為金屬錫、二氯化錫、四氯化錫中的任一 種。本發(fā)明可用于氣敏元件、
鋰電池陰極材料、催化、分離吸 附、光學(xué)及環(huán)境污染治理等領(lǐng)域。
聲明:
“氧化錫多孔薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)