本發(fā)明公開(kāi)了一種真空熔滲法制備石墨泡沫/Cu
復(fù)合材料的方法,屬于電子封裝
功能材料領(lǐng)域,本發(fā)明在石墨泡沫表面施覆一層碳化鉬層以改善銅與石墨表面的浸潤(rùn)性,隨后進(jìn)行真空熔滲獲得銅/石墨泡沫復(fù)合材料,其中Cu在熔點(diǎn)以上進(jìn)行熔滲,熔融的銅溶液在重力以及毛細(xì)管力的作用下填充石墨泡沫內(nèi)部的孔洞,同時(shí)石墨泡沫作為增強(qiáng)體,具有復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,強(qiáng)度高,各項(xiàng)力學(xué)性能均較為優(yōu)異,進(jìn)而所獲得的石墨泡沫/Cu復(fù)合材料高導(dǎo)熱、低密度、低膨脹,且相比于傳統(tǒng)的金剛石增強(qiáng)銅基復(fù)合材料后期加工處理難度極低,是一種應(yīng)用前景非常好的電子封裝用基體材料。
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