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基于鹵化亞錫的阻變存儲器

1025   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 15:07:02
本發(fā)明提出了一種基于鹵化亞錫的阻變存儲器及其制備方法,其具體結構為三明治結構,用FTO、或ITO、或ZTO作為基片和底電極,鹵化亞錫薄膜作為阻變層,Pt、Au、W作為頂電極。本發(fā)明采用了一種新型的阻變功能材料鹵化亞錫,它具有成分簡單、易于成膜、性能穩(wěn)定的特點。以鹵化亞錫作為阻變層制備的阻變存儲器單元,具有高低阻態(tài)比值窗口大、電學性能穩(wěn)定、制備工藝簡單、成本低廉、安全可靠,同時無環(huán)境污染的特點。具有良好的循環(huán)耐受性,在多次重復擦寫之后仍然具有良好的阻變性能。本發(fā)明具有較好的發(fā)展?jié)摿蛻脙r值。
聲明:
“基于鹵化亞錫的阻變存儲器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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