一種利用等離子刻蝕機(jī)的垂直電場分布制備材料表面形態(tài)呈梯度變化的微納米級結(jié)構(gòu)陣列
功能材料的方法,屬于材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)合傾斜放置的樣品和等離子刻蝕機(jī)的垂直電場在多種材料中引入梯度結(jié)構(gòu)陣列,整個(gè)過程操作簡便,通過調(diào)控刻蝕條件和基底材料的種類可以在多種材料(聚合物、氧化物、金屬等)中引入形態(tài)可控的梯度結(jié)構(gòu)。本發(fā)明步驟簡單,根據(jù)具體使用材料更換相應(yīng)的刻蝕氣體即可完成制備目的結(jié)構(gòu)樣品,實(shí)例中所制備的梯度微納米級結(jié)構(gòu)是二維尺度上的,其在微納米級形態(tài)結(jié)構(gòu)上是呈梯度變化的,通過在材料表面的后處理,可以更加靈活的應(yīng)用。
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“材料表面形態(tài)呈梯度變化的微納米級結(jié)構(gòu)陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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