本發(fā)明揭示了一種高深寬比高保形納米級負型結(jié)構(gòu)的制備方法,本發(fā)明用旋涂的方法在提供的襯底上旋涂一層氫倍半硅氧烷(HSQ);利用電子束曝光技術對樣品進行曝光顯影得到預期的HSQ柱狀納米結(jié)構(gòu);利用磁控濺射鍍膜沉積技術在樣品上共形沉積一層
功能材料薄膜;利用旋涂的方式在濺射處理后的樣品上旋涂一層平坦化層HSQ;然后把樣品置于熱板上低溫烘烤以去除平坦化材料中的溶劑;再對樣品用斜角離子束拋光設備以角度小于10°的夾角進行拋光處理直到HSQ柱子上表面的金屬材料全部去除;最后用濕法刻蝕將樣品用氫氟酸進行處理以去除HSQ柱子結(jié)構(gòu)從而得到我們所需的高深寬比高保形的納米級負型結(jié)構(gòu)。
聲明:
“高深寬比高保形納米級負型結(jié)構(gòu)的制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)