一種鎵摻雜的氧化物透明導(dǎo)電薄膜材料的制備 方法,屬于光電子信息
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。在ZnO薄膜中進(jìn)行 鎵摻雜,用偏壓射頻磁控濺射技術(shù)在真空條件下,在有機(jī)聚合 物薄膜襯底上室溫制備出具有多晶結(jié)構(gòu)的ZnO∶Ga透明導(dǎo)電 膜,濺射用陶瓷靶組分為氧化鋅和三氧化二鎵,工藝條件為: 氬氣分壓0.5-5Pa,濺射功率50-200W,濺射偏壓0~-100V。 制得薄膜的載流子濃度為1.2× 1021cm- 3,遷移率為 13.5cm2V- 1S-1,電阻率為 4.6×10-4Ωcm,方塊電阻6.2 Ω/□,可見光范圍的透過率超過83%。扣除有機(jī)材料襯底的 影響,在可見光范圍內(nèi)薄膜的平均透過率可以達(dá)到90%,性能 優(yōu)于ZnO∶Al薄膜,因此在有機(jī)平板顯示和有機(jī)光電子器件等 領(lǐng)域可以替代現(xiàn)有的透明導(dǎo)電膜材料。
聲明:
“鎵摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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