本發(fā)明提供了一種CuI晶體的生長方法,屬于光電
功能材料技術(shù)中的晶體生長領(lǐng)域。該方法采用低溫水溶液降溫法生長晶體,使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等為助溶劑,銅片作為還原劑,石蠟油封,生長溫區(qū)30-60℃,降溫速率為0.1-0.5℃/day。本發(fā)明采用的降溫法晶體生長技術(shù)具有生長溫度低、溶液黏度低、裝置簡單易行、生長過程可以直接觀察等優(yōu)點(diǎn),所生長的CuI晶體純度高、均勻性好、尺寸大,因此作為新一代的超快閃爍晶體,有望在未來超高計(jì)數(shù)率電子、γ射線和X射線測(cè)量中發(fā)揮重要作用,同時(shí)還作為一種
半導(dǎo)體材料用作太陽能
電池材料、超導(dǎo)材料和光催化材料。
聲明:
“大尺寸CuI晶體的生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)