本發(fā)明屬于光電子
功能材料及器件技術(shù)領(lǐng)域, 具 體涉及一種用無依托超薄金剛石多晶薄膜制備的新一代X光 窗口及其制備工藝。本發(fā)明采用金剛石薄膜高密度(109-10/cm2)成核及優(yōu)化生長工藝, 制備無依托超薄金剛石多晶薄膜, 再用化學(xué)方法刻蝕掉一部分硅基板, 形成直徑為4-8毫米的完全無依托超薄金剛石X光窗口。該窗口在50-1550ev波段具有良好的透射率, 具有低吸收、高熱導(dǎo)的優(yōu)良特性及很高的抗輻射特性, 遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的X光鈹窗口, 可廣泛應(yīng)用于X光元素分析、深亞微米超大規(guī)模集成電路制版技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)、物理、化學(xué)等研究領(lǐng)域。
聲明:
“無依托超薄金剛石X光窗口及其制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)