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用于制造帶有比其他區(qū)相對更厚的局部受控區(qū)的薄半導體晶片的方法和裝置以及這種晶片

764 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:02:31

帶有在受控位置處的更厚區(qū)和薄區(qū)的半導體晶片可以用于光電。內(nèi)部可以少于180微米或更薄至50微米，帶有在180?250微米處的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工強度。更厚的條帶、著陸臺、和島狀物用于金屬化耦合。晶片可以從模板上的熔化物直接制得，所述模板帶有被布置成對應于相對厚度的位置的不同熱提取傾向的區(qū)。間隙氧少于6x1017?atoms/cc，優(yōu)選地少于2x1017，總氧少于8.75x1017?atoms/cc，優(yōu)選地少于5.25x1017。更厚的區(qū)鄰近具有相對更高熱提取傾向的模板區(qū)形成；更薄的區(qū)鄰近帶有更少提取傾向的區(qū)。更厚的模板區(qū)具有更高的提取傾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取傾向。

聲明：

“用于制造帶有比其他區(qū)相對更厚的局部受控區(qū)的薄半導體晶片的方法和裝置以及這種晶片” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)