本發(fā)明實施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法,所述形成方法包括:提供襯底;在所述襯底上形成柵功能結(jié)構(gòu),所述柵功能結(jié)構(gòu)包括:一層?xùn)殴δ軐踊蚨鄬訓(xùn)殴δ軐?;形成所述柵功能層的步驟包括:在襯底上形成
功能材料層;對所述功能材料層表面進行解復(fù)合處理,減少所述柵功能材料層表面的陷阱缺陷俘獲的帶電離子;所述解復(fù)合處理之后,對所述柵功能材料層表面進行鈍化處理,減少所述柵功能材料層表面的陷阱缺陷;在所述柵功能結(jié)構(gòu)上形成柵極。所述解復(fù)合處理和鈍化處理能夠減少所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的低頻噪聲。
聲明:
“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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