一種基于腐蝕的水平全限制相變存儲(chǔ)器的自對(duì)準(zhǔn)制備方法,該方法包括:在襯底上生長(zhǎng)第一電熱絕緣材料層,旋涂并光刻形成縱向第一掩膜層;在第一電熱絕緣層上淀積第一
功能材料層,并形成第一功能材料層縫隙;之其上制備一層相變材料層;退火、腐蝕,將相變材料層去除,形成相變材料層納米線;光刻,形成水平對(duì)置電極層局域化的相變材料量子點(diǎn);去除第二掩模層,淀積第二電熱絕緣層;去除第三掩模層;淀積第三電熱絕緣材料層;光刻出第四掩模層,腐蝕,薄膜淀積第二功能材料層,并剝離形成測(cè)試電極,完成器件制備。本發(fā)明具有工藝精度要求低、制備簡(jiǎn)單、可靠性高、制備良品率高、研發(fā)成本低和經(jīng)濟(jì)高效的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“基于腐蝕的水平全限制相變存儲(chǔ)器的自對(duì)準(zhǔn)制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)