權(quán)利要求書(shū)： 1.一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：包含金屬粉末、玻璃熔塊、金屬氧化物、有機(jī)粘接劑以及溶劑，上述金屬氧化物包含第1金屬氧化物以及第2金屬氧化物，上述第1金屬氧化物為鎢(W)的氧化物，上述第2金屬氧化物為銻(Sb)的氧化物，以上述導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，上述第1金屬氧化物的含量為0.1wt％至0.3wt％，而上述第2金屬氧化物的含量為0.2wt％至0.4wt％，以上述導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，上述玻璃熔塊的含量為2.5wt％至3.1wt％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：上述第1金屬氧化物與上述第2金屬氧化物的重量比為1:2～4。

3.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于：

在于基材上部配備正面電極并于基材下部配備背面電極的太陽(yáng)能電池中，上述正面電極是通過(guò)在涂布權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料之后進(jìn)行干燥以及燒制而制造。

說(shuō)明書(shū)： 太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料以及使用上述漿料制造的太陽(yáng)能電池

技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及一種用于形成太陽(yáng)能電池的電極的導(dǎo)電性漿料以及利用上述導(dǎo)電性漿料制造的太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)[0002] 太陽(yáng)能電池(solarcell)是用于將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體元件，通常為p?n結(jié)形態(tài)，其基本結(jié)構(gòu)與二極管相同。圖1為一般的太陽(yáng)能電池元件的結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能電池元件通常利用厚度為180～250μm的p型硅半導(dǎo)體基板10構(gòu)成。在硅半導(dǎo)體基板的受光面一側(cè)，形成有厚度為0.3～0.6μm的n型摻雜層20和位于其上方的反射防止膜30以及正面電極100。此外，在p型硅半導(dǎo)體基板的背面一側(cè)形成有背面電極50。正面電極100是將由主成分為銀的導(dǎo)電粒子(silverpowder)、玻璃熔塊(glassfrit)、有機(jī)載體(organicvehicle)以及添加劑等混合而得的導(dǎo)電性漿料涂布到反射防止膜30上之后以燒制方式形成，而背面電極50是將由鋁粉末、玻璃熔塊、有機(jī)載體(organicvehicle)以及添加劑構(gòu)成的鋁漿料組合物通過(guò)如絲網(wǎng)印刷等進(jìn)行涂布和干燥之后在660℃(鋁的熔點(diǎn))以上的溫度下的以燒制方式形成。在上述燒制過(guò)程中，鋁會(huì)被擴(kuò)散到p型硅半導(dǎo)體基板的內(nèi)部并借此在背面電極和p型硅半導(dǎo)體基板之間形成Al?Si合金層，同時(shí)還將通過(guò)鋁原子的擴(kuò)散形成作為雜質(zhì)層的p+層40。借助于如上所述的p+層能夠防止電子的再結(jié)合，并實(shí)現(xiàn)可提升對(duì)所生成的載流子的收集效率的BSF(BackSurfaceField，背面電場(chǎng))效果。在背面鋁電極50的下部，還能夠配備背面銀電極60。

[0003] 因?yàn)榘缟纤龅奶?yáng)能電池電極的太陽(yáng)能電池單元的電動(dòng)勢(shì)較低，因此需要通過(guò)對(duì)多個(gè)太陽(yáng)能電池單元進(jìn)行連接而構(gòu)成具有適當(dāng)電動(dòng)勢(shì)的太陽(yáng)能電池模塊(PhotovoltaicModule)進(jìn)行使用，此時(shí)各個(gè)太陽(yáng)能電池單元將通過(guò)鍍鉛的特定長(zhǎng)度的帶狀導(dǎo)線(xiàn)進(jìn)行連接。此時(shí)，將出現(xiàn)電極的構(gòu)成成分即Ag在帶狀導(dǎo)線(xiàn)所包含的構(gòu)成成分即Sn的作用下發(fā)生溶解的所謂的浸析(leaching)現(xiàn)象。為了解決如上所述的問(wèn)題，能夠通過(guò)對(duì)導(dǎo)電性漿料中的Ag以及玻璃熔塊的含量以及比例進(jìn)行調(diào)節(jié)而實(shí)現(xiàn)所需要的電氣特性以及粘接力，但是在這種情況下為了達(dá)成較高的效率而需要增加構(gòu)成正面電極的母線(xiàn)電極的圖案數(shù)量并縮小其寬度，因此會(huì)導(dǎo)致帶狀導(dǎo)線(xiàn)與正面電極之間的粘接力下降的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 技術(shù)課題[0005] 本發(fā)明的目的在于提供一種為了強(qiáng)化正面電極的電氣特性而能夠在電極帶狀導(dǎo)線(xiàn)的焊接過(guò)程中降低電極的構(gòu)成成分發(fā)生溶解的浸析(leaching)現(xiàn)象的太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料組合物。[0006] 但是，本發(fā)明的目的并不限定于在上述內(nèi)容中提及的目的，相關(guān)行業(yè)的從業(yè)人員將能夠通過(guò)下述記載進(jìn)一步明確理解未被提及的其他目的。[0007] 解決課題的方法[0008] 為了解決如上所述的課題，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：包含金屬粉末、玻璃熔塊、金屬氧化物、有機(jī)粘接劑以及溶解，上述金屬氧化物由包含鎢的第1金屬氧化物以及包含銻的第2金屬氧化物中的至少一種構(gòu)成。[0009] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：上述金屬氧化物包含上述第1金屬氧化物以及上述第2金屬氧化物，上述第1金屬氧化物為WO3，而上述第2金屬氧化物為Sb2O3。[0010] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：上述第1金屬氧化物與上述第2金屬氧化物的重量比為1:1～5。[0011] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：以上述導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，上述第1金屬氧化物的含量為0.1wt％至0.3wt％，而上述第2金屬氧化物的含量為0.1wt％至0.4wt％。[0012] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：以上述導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，上述第1金屬氧化物的含量為0.1wt％，而上述第2金屬氧化物的含量為0.4wt％。[0013] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料，其特征在于：以上述導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，上述玻璃熔塊的含量為2.5wt％至3.1wt％。[0014] 此外，本發(fā)明提供一種太陽(yáng)能電池，其特征在于：在基材的上部配備正面電極并在基材的下部配備背面電極的太陽(yáng)能電池中，上述正面電極是通過(guò)在涂布上述內(nèi)容中所提及的某一種太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料之后進(jìn)行干燥以及燒制而制造。[0015] 發(fā)明效果[0016] 本發(fā)明能夠通過(guò)向太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料添加WO3以及Sb2O3而提升帶狀導(dǎo)線(xiàn)與正面電極之間的粘接力并借此降低在將帶狀導(dǎo)線(xiàn)焊接到正面電極的過(guò)程中發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象。此外，在向太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料添加NiO、CuO以及Bi2O3時(shí)也能夠降低浸析(leaching)現(xiàn)象。附圖說(shuō)明[0017] 圖1是一般的太陽(yáng)能電池元件的概要性截面圖。具體實(shí)施方式[0018] 在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明之前應(yīng)理解的是，在本說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只適用于對(duì)特定的實(shí)施例進(jìn)行記述，并不是為了對(duì)本發(fā)明的范圍做出限定，本發(fā)明的范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求書(shū)的范圍做出限定。除非另有說(shuō)明，否則在本說(shuō)明書(shū)中所使用的所有技術(shù)術(shù)語(yǔ)以及科學(xué)術(shù)語(yǔ)的技術(shù)性含義與掌握一般技術(shù)的人員所通常理解的含義相同。[0019] 除非另有說(shuō)明，否則在本說(shuō)明書(shū)以及權(quán)利要求書(shū)的所有內(nèi)容中所使用的包含(comprise，comprises，comprising)術(shù)語(yǔ)是指包含所提及的對(duì)象、步驟或一系列的對(duì)象以及步驟，但并不是指排除任意其他對(duì)象、步驟或一系列對(duì)象或一系列步驟存在的可能性。[0020] 此外，除非另有明確的相反記載，否則適用本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例還能夠與其他實(shí)施例結(jié)合實(shí)施。尤其是，被指定為較佳或有利的某個(gè)特征還能夠與指定為較佳或有利的之外的其他某個(gè)特征以及多個(gè)特征結(jié)合。接下來(lái)，將結(jié)合附圖對(duì)適用本發(fā)明的實(shí)施例及其效果進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。[0021] 本發(fā)明一實(shí)施例的漿料，是適合于在形成太陽(yáng)能電池電極時(shí)使用的漿料，提供一種用于降低在粘接帶狀導(dǎo)線(xiàn)時(shí)所發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象的太陽(yáng)能電池電極用導(dǎo)電性漿料。具體而言，導(dǎo)電性漿料組合物能夠包含金屬粉末、玻璃熔塊、金屬氧化物以及有機(jī)載體等。除此之外，還能夠包含多種添加劑。[0022] 作為上述金屬粉末能夠使用銀粉末、銅粉末、鎳粉末或鋁粉末等，在適用于正面電極時(shí)主要使用銀粉末，而在適用于背面電極時(shí)主要使用鋁粉末。接下來(lái)為了說(shuō)明的便利，將以銀粉末為例對(duì)金屬粉末進(jìn)行說(shuō)明。下述說(shuō)明能夠同樣適用于其他金屬粉末。[0023] 在考慮到印刷時(shí)所形成的電極的厚度以及電極的線(xiàn)性電阻的情況下，金屬粉末的含量以導(dǎo)電性漿料組合物的總重量(wt)為基準(zhǔn)包含70至85重量％，較佳地包含85至95wt％為宜。[0024] 銀粉末使用純銀粉末為宜，也能夠使用至少其表面由銀構(gòu)成的鍍銀復(fù)合粉末或?qū)y作為主成分的合金等。此外，還能夠混合其他金屬粉末進(jìn)行使用。例如，能夠使用如鋁、金、鈀、銅或鎳等。[0025] 銀粉末的平均粒徑能夠是0.05至3μm，而在考慮到漿料化的簡(jiǎn)易性以及燒制時(shí)的致密度的情況下為0.5至2.5μm為宜，其形狀能夠是球狀、針狀、板狀以及非特定形狀中的至少一種以上。銀粉末也能夠?qū)ζ骄交蛄６确植家约靶螤畹炔煌?種以上的粉末進(jìn)行混合使用。[0026] 上述玻璃熔塊的組成或粒徑、形狀并不受到特殊的限制。不僅能夠使用含鉛玻璃熔塊，也能夠使用無(wú)鉛玻璃熔塊。較佳地，作為玻璃熔塊的成分以及含量，以氧化物換算標(biāo)準(zhǔn)包含5～29mol％的PbO、20～34mol％的TeO2、3～20mol％的Bi2O3、20mol％以下的SiO2、10mol％以下的B2O3、10～20mol％的堿金屬(Li、Na、K等)以及堿土金屬(Ca、Mg等)為宜。通過(guò)對(duì)上述各個(gè)成分的有機(jī)含量組合，能夠防止電極的線(xiàn)寬增加、優(yōu)化高表面電阻中的接觸電阻特性并優(yōu)化短路電流特性。

[0027] 玻璃熔塊的平均粒徑并不受限，能夠是0.05至4μm的范圍，還能夠?qū)ζ骄讲煌亩喾N粒子進(jìn)行混合使用。較佳地，所使用的至少一種玻璃熔塊的平均粒徑為0.1μm以上3μm以下為宜。借此，能夠優(yōu)化燒制時(shí)的反應(yīng)性，尤其是能夠?qū)⒏邷貭顟B(tài)下的n層的損壞最小化，還能夠改善粘接力并優(yōu)化開(kāi)路電壓(oc)。此外，還能夠減少燒制時(shí)的電極線(xiàn)寬的增加。[0028] 玻璃熔塊的相變溫度能夠是200℃至500℃，較佳地能夠是250℃至450℃，在滿(mǎn)足相應(yīng)范圍的情況下能夠更有效地達(dá)成所需要的物性效果。[0029] 玻璃熔塊的含量以導(dǎo)電性漿料組合物的總重量為基準(zhǔn)包含0.1至15wt％，較佳地包含0.5至4wt％為宜。[0030] 上述金屬氧化物包含從由鎢(W)、銻(Sb)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、釕(Ru)、鉬(Mo)以及鉍(Bi)構(gòu)成的組中選擇的某1種以上的金屬的氧化物。平均粒徑能夠是0.01至5μm，在考慮到其效果時(shí)為0.02至2μm為宜。

[0031] 當(dāng)上述金屬氧化物中包含上述金屬的氧化物中的1種以上時(shí)，較佳地必須包含銻(Sb)的氧化物為宜。當(dāng)包含銻的氧化物時(shí)，以導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，金屬氧化物的含量為0.1wt％至0.5wt％為宜，更較佳地包含0.2wt％至0.4wt％為宜。[0032] 上述金屬氧化物較佳地包含從由鎢(W)、銻(Sb)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、釕(Ru)、鉬(Mo)以及鉍(Bi)構(gòu)成的組中選擇的某2種以上的第1金屬氧化物以及第2金屬氧化物為宜。[0033] 當(dāng)上述金屬氧化物中包含上述金屬的氧化物中的2種以上時(shí)，較佳地作為第1金屬氧化物必須包含鎢(W)的氧化物且作為第2金屬氧化物必須包含銻(Sb)的氧化物為宜。此時(shí)，第1金屬氧化物與第2金屬氧化物的重量比為1:1～5為宜。此外，當(dāng)包含鎢的氧化物以及銻的氧化物時(shí)，以導(dǎo)電性漿料的總重量為基準(zhǔn)，第1金屬氧化物的含量為0.1wt至0.3wt％而第2金屬氧化物的含量為0.1wt％至0.5wt％為宜，更較佳地包含0.1wt至0.3wt％的第1金屬氧化物以及0.2wt％至0.4wt％的第2金屬氧化物為宜。[0034] 上述有機(jī)載體不受限制，能夠包含有機(jī)粘接劑以及溶劑等。有時(shí)能夠省略溶劑。有機(jī)載體的含量不受限制，但以導(dǎo)電性漿料組合物的總重量為基準(zhǔn)包含3至25wt％，較佳地包含5至15wt％為宜。[0035] 對(duì)于有機(jī)載體，要求具有能夠使金屬粉末和玻璃熔塊等維持均勻混合狀態(tài)的特性，例如在通過(guò)絲網(wǎng)印刷將導(dǎo)電性漿料涂布到基材上時(shí)，應(yīng)能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電性漿料的均質(zhì)化，從而而抑制印刷圖案的模糊以及流動(dòng)，同時(shí)應(yīng)能夠提升導(dǎo)電性漿料從絲網(wǎng)印刷版的流出性以及印刷版的分離性。[0036] 有機(jī)載體中所包含的有機(jī)粘接劑不受限制，纖維素酯類(lèi)化合物的實(shí)例包括乙酸纖維素以及乙酸丁酸纖維素等，纖維素醚類(lèi)化合物的實(shí)例包括乙基纖維素、甲基纖維素、羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基甲基纖維素以及羥乙基甲基纖維素等，丙烯酸類(lèi)化合物的實(shí)例包括聚丙烯酰胺、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚甲基丙烯酸乙酯等，乙烯類(lèi)的實(shí)例包括聚乙烯醇縮丁醛、聚乙酸乙烯酯以及聚乙烯醇等。能夠從上述有機(jī)粘接劑中選擇使用至少1種以上。[0037] 作為用于對(duì)組合物進(jìn)行稀釋的溶劑，從由α?松油醇、十二碳醇酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二丁酯、環(huán)己烷、己烷、甲苯、苯甲醇、二氧六環(huán)、二甘醇、乙二醇單丁醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚以及乙二醇單丁醚乙酸酯等構(gòu)成的化合物中選擇至少一種以上進(jìn)行使用為宜。[0038] 作為添加劑能夠選擇使用如分散劑、增稠劑、觸變劑以及流平劑等，作為上述分散劑能夠使用如BYK?110、111、108、180等，作為增稠劑能夠使用如BYK?410、411、420等，作為增稠劑能夠使用如BYK203、204、205等，作為流平劑能夠使用如BYK?308、307、3440等，但是并不限定于此。[0039] 本發(fā)明能夠通過(guò)對(duì)如上所述的玻璃熔塊的含量進(jìn)行調(diào)節(jié)而降低在將電極焊接到帶狀導(dǎo)線(xiàn)時(shí)發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象。[0040] 此外，本發(fā)明能夠通過(guò)對(duì)如上所述的金屬氧化物的含量進(jìn)行調(diào)節(jié)而降低在將電極焊接到帶狀導(dǎo)線(xiàn)時(shí)發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象。[0041] 具體而言，本發(fā)明能夠通過(guò)選擇WO3、Sb2O3、NiO、CuO、MgO、CaO、RuO、MoO、Bi2O3中的1種或2種以上并對(duì)所選擇的金屬氧化物的含量比例進(jìn)行調(diào)節(jié)而降低在將電極焊接到帶狀導(dǎo)線(xiàn)時(shí)發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象。[0042] 但是如后所述，當(dāng)過(guò)度增加上述金屬氧化物的含量比例時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致開(kāi)路電壓下降或接觸電阻增加的問(wèn)題。[0043] 接下來(lái)，將結(jié)合實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。[0044] 實(shí)施例1[0045] 電極的下部印刷層用漿料組合物如下所述。銀粉末使用了LS?NikkoCopper公司3

的(D50)＝2.0μm、振實(shí)密度(TapDensity)＝4.8g/cm的粒子，以漿料組合物的整體為基準(zhǔn)添加了89.5wt％。玻璃熔塊使用了Tg為280℃的Pb型，以漿料組合物的整體為基準(zhǔn)添加了

2.5wt％。作為樹(shù)脂添加了DOW公司的0.5wt％的STD?10，作為添加劑添加了用于賦予觸變特性的ELEMENTS公司的0.5wt％的THIXATROLMAX，作為分散劑添加了KUSUMOTO公司的

1.0wt％的ED?152。作為溶劑添加了1.5wt％的DBE(二元酯(Dibasicester)制造企業(yè)TCI公司的己二酸二甲酯(Dimethyladipate)、戊二酸二甲酯(dimethylglutrate)、丁二酸二甲酯(dimethylsuccinate))以及3.5wt％的Eastman公司的二乙二醇丁醚醋酸酯(buthylcarbitolacetate)。

[0046] 在太陽(yáng)能電池用基板的制造過(guò)程中，使用了156mmx156mm的單晶硅晶圓。在管式爐(Tubefurnace)中以900℃的溫度條件通過(guò)利用POCl3的擴(kuò)散工程摻雜磷(P)，從而形成表面電阻(sheetresistance)為90Ω/sq且厚度為100?500nm的發(fā)射極層，接下來(lái)通過(guò)PECD方法在上述發(fā)射極層上形成了80nm厚度的硅氮化膜即反射防止膜。在反射防止膜的上部通過(guò)絲網(wǎng)印刷的方式印刷了正面電極。正面電極的下部印刷層是將上述所制造出的下部印刷層用漿料組合物利用Baccini公司的印刷機(jī)和具有360?16目以及15μm乳劑膜的34μm蒙版進(jìn)行了絲網(wǎng)印刷，并在下部印刷層的上部通過(guò)相同的方法絲網(wǎng)印刷了上部印刷層用漿料組合物。作為背面電極，使用D公司的產(chǎn)品進(jìn)行了絲網(wǎng)印刷。接下來(lái)在300℃的溫度下利用BTU干燥爐進(jìn)行30秒的干燥工程，然后在900℃的燒制爐中進(jìn)行60秒的燒結(jié)處理而制造出了太陽(yáng)能電池用基板。干燥工程中使用BTU裝置在300℃的溫度下進(jìn)行了30秒的干燥處理，而燒制工程是利用Despatch在900℃的溫度下進(jìn)行了60秒的燒結(jié)處理。[0047] 實(shí)施例2[0048] 除了將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％之外，使用與上述實(shí)施例1相同的方式實(shí)施。[0049] 實(shí)施例3[0050] 除了將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.9wt％之外，使用與上述實(shí)施例1相同的方式實(shí)施。[0051] 實(shí)施例4[0052] 除了將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為3.1wt％之外，使用與上述實(shí)施例1相同的方式實(shí)施。[0053] 實(shí)施例5[0054] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0055] 實(shí)施例6[0056] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0057] 實(shí)施例7[0058] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.3wt％的WO3(0.1)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0059] 實(shí)施例8[0060] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0061] 實(shí)施例9[0062] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.2wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0063] 實(shí)施例10[0064] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.3wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0065] 實(shí)施例11[0066] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.4wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0067] 實(shí)施例12[0068] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.5wt％的WO3(0.2)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0069] 實(shí)施例13[0070] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1μm)以及0.1wt％的Sb2O3(0.2μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0071] 實(shí)施例14[0072] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1μm)以及0.2wt％的Sb2O3(0.2μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0073] 實(shí)施例15[0074] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1μm)以及0.3wt％的Sb2O3(0.2μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0075] 實(shí)施例16[0076] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1μm)以及0.4wt％的Sb2O3(0.2μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0077] 實(shí)施例17[0078] 除了在將所使用的相同玻璃熔塊的添加量調(diào)整為2.7wt％的同時(shí)使用0.1wt％的WO3(0.1μm)以及0.5wt％的Sb2O3(0.2μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0079] 實(shí)施例18[0080] 除了使用0.02粒子大小的WO3進(jìn)行制造之外，使用與上述實(shí)施例16相同的方式實(shí)施。[0081] 實(shí)施例19[0082] 除了使用0.05粒子大小的WO3進(jìn)行制造之外，使用與上述實(shí)施例16相同的方式實(shí)施。[0083] 實(shí)施例20[0084] 除了在添加2.7wt％的玻璃熔塊的同時(shí)使用0.1wt％的NiO(0.1μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0085] 實(shí)施例21[0086] 除了在添加2.7wt％的玻璃熔塊的同時(shí)使用0.1wt％的CuO(0.1μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0087] 實(shí)施例22[0088] 除了在添加2.7wt％的玻璃熔塊的同時(shí)使用0.1wt％的Bi2O3(0.1μm)之外，使用與上述實(shí)施例2相同的方式實(shí)施。[0089] 特性測(cè)試[0090] 對(duì)實(shí)施例1至實(shí)施例22的粘接力、開(kāi)路電壓、接觸電阻進(jìn)行了評(píng)估，其結(jié)果如下述表1所示。I特性/EL特性是使用HALMElectronix公司的裝置進(jìn)行了測(cè)定，粘接特性是在將SnPbAg組成的帶狀導(dǎo)線(xiàn)粘接到電極之后利用抗張強(qiáng)度測(cè)定儀夾住粘接部分的一側(cè)并沿著180度的方向進(jìn)行拉動(dòng)，從而對(duì)正面電極與帶狀導(dǎo)線(xiàn)發(fā)生剝離時(shí)的力量(N)進(jìn)行了測(cè)定。EL斷線(xiàn)是通過(guò)肉眼進(jìn)行了觀(guān)察。此外，作為用于判斷粘接力以及接觸電阻是否均優(yōu)良的參數(shù)，將相對(duì)于最大粘接力(3.2N)的偏差值和相對(duì)于最小接觸電阻(0.00095ohm)的偏差值的合計(jì)值(Sd)記錄到了表1中。

[0091] 【表1】[0092][0093] 如上述結(jié)果所示，可以發(fā)現(xiàn)作為為了提升粘接力而降低對(duì)帶狀導(dǎo)線(xiàn)進(jìn)行粘接時(shí)所發(fā)生的浸析(leaching)現(xiàn)象的方法，在向金屬氧化物中添加Sb2O3以及WO3時(shí)能夠提升其粘接力。此外在添加0.2的Sb2O3的實(shí)施例8至實(shí)施例17中，可以發(fā)現(xiàn)相對(duì)于最大粘接力(3.2N)的偏差值以及相對(duì)于最小接觸電阻(0.00095ohm)的偏差值的合計(jì)值(Sd)為0.31以下，這表明能夠?qū)崿F(xiàn)在粘接力優(yōu)良的同時(shí)接觸電阻同樣優(yōu)良的效果。此外在以0.2至0.4％的含量添加0.2的Sb2O3的實(shí)施例9至實(shí)施例11以及實(shí)施例14至實(shí)施例16中，可以發(fā)現(xiàn)相對(duì)于最大粘接力(3.2N)的偏差值以及相對(duì)于最小接觸電阻(0.00095ohm)的偏差值的合計(jì)值(Sd)為0.2以下，這表明能夠?qū)崿F(xiàn)在粘接力最優(yōu)良的同時(shí)接觸電阻同樣優(yōu)良的效果。此外在0.1至0.5％的范圍內(nèi)添加等量的2μm的Sb2O3時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)在添加0.1的WO3的實(shí)施例13至實(shí)施例17中的粘接力以及接觸電阻均優(yōu)于沒(méi)有添加WO3的實(shí)施例8至實(shí)施例12。[0094] 此外，在添加NiO、CuO以及Bi2O3的實(shí)施例20至實(shí)施例22中同樣可以發(fā)現(xiàn)其粘接力得到了提升。但是在添加NiO、CuO以及Bi2O3時(shí)可以觀(guān)察到太陽(yáng)能電池電極材料所要求的物性即接觸電阻的大幅度上升，因此會(huì)導(dǎo)致接觸電阻特性方面的問(wèn)題。[0095] 此外如實(shí)施例4所示，可以發(fā)現(xiàn)在玻璃熔塊的含量增加時(shí)能夠提升粘接力，但此時(shí)會(huì)因?yàn)榻Y(jié)損害(junctiondamage)而導(dǎo)致開(kāi)路電壓(oc)的下降。[0096] 此外如實(shí)施例7所示，可以發(fā)現(xiàn)在WO3的含量增加時(shí)能夠提升粘接力，但此時(shí)會(huì)因?yàn)榻佑|電阻的不良而呈現(xiàn)出填充因子(FF)下降的傾向。[0097] 此外如實(shí)施例17所示，可以發(fā)現(xiàn)在Sb2O3含量達(dá)到一定的程度時(shí)反而會(huì)呈現(xiàn)出粘接力下降的傾向。[0098] 在如上所述的各個(gè)實(shí)施例中所介紹的特征、結(jié)構(gòu)以及效果等，能夠由具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域之一般知識(shí)的人員與其他實(shí)施例進(jìn)行組合或變形實(shí)施。因此，如上所述的組合或變形相關(guān)的內(nèi)容也應(yīng)解釋為包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。[0099] [符號(hào)說(shuō)明][0100] 10：P型硅半導(dǎo)體基板[0101] 20：N型摻雜層[0102] 30：反射防止膜[0103] 40：P+層(BSF：backsurfacefield，背面電場(chǎng))[0104] 50：背面鋁電極[0105] 60：背面銀電極[0106] 100：正面電極