權(quán)利要求書： 1.一種太陽能電池的制造方法，是具備半導(dǎo)體基板、層疊在上述半導(dǎo)體基板的與一個主面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的另一個主面?zhèn)鹊囊徊糠忠嗉吹谝粎^(qū)域的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及層疊在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個主面?zhèn)鹊牧硪徊糠忠嗉吹诙^(qū)域的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的背面接合型的太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池的制造方法包含以下工序：第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個主面?zhèn)刃纬缮鲜龅谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜；

剝離層形成工序，在上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜上形成剝離層；

第一半導(dǎo)體層形成工序，除去上述第二區(qū)域的上述剝離層以及上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，由此在上述第一區(qū)域形成圖案化的上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及上述剝離層；

第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述第一區(qū)域的上述剝離層以及上述第二區(qū)域上形成上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜；以及第二半導(dǎo)體層形成工序，除去上述剝離層，由此除去上述第一區(qū)域的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，在上述第二區(qū)域形成圖案化的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，上述第二半導(dǎo)體層形成工序包含：至少一次蝕刻工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于除去上述剝離層的蝕刻溶液；以及至少一次沖洗工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于沖洗上述半導(dǎo)體基板的表面的沖洗溶液，在上述蝕刻工序以及上述沖洗工序中的至少一個工序中，在溶液中添加抑制被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜再附著于上述半導(dǎo)體基板的主面的附著抑制劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述第二半導(dǎo)體層形成工序包含依次進(jìn)行的多個上述沖洗工序，在多個上述沖洗工序中的第二個以后的上述沖洗工序中，在上述沖洗溶液中添加上述附著抑制劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述附著抑制劑是表面活性劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其中，含有上述表面活性劑的上述沖洗溶液的pH是7以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑含有陰離子系的表面活性劑或者陽離子系的表面活性劑或者它們的混合劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑是含有芳香族構(gòu)造以及長鏈直鏈狀烷基構(gòu)造的有機酸。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑含有陰離子系的表面活性劑或者陽離子系的表面活性劑或者它們的混合劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑是含有芳香族構(gòu)造以及長鏈直鏈狀烷基構(gòu)造的有機酸。

說明書： 太陽能電池的制造方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及背面接合型(也稱為背接觸型、背面電極型。)的太陽能電池的制造方法。背景技術(shù)[0002] 作為使用了半導(dǎo)體基板的太陽能電池，具有在受光面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)鹊膬擅嫘纬捎邪雽?dǎo)體層的例如異質(zhì)結(jié)型(以下，相對于背面接合型，稱為兩面接合型。也稱為兩面電極型。)的太陽能電池、以及僅在背面?zhèn)刃纬捎邪雽?dǎo)體層的背面接合型的太陽能電池。在兩面接合型的太陽能電池中，由于在受光面?zhèn)刃纬呻姌O，所以太陽光被該電極遮擋。另一方面，在背面接合型的太陽能電池中，由于沒有在受光面?zhèn)刃纬呻姌O，所以與兩面接合型的太陽能電池比較，太陽光的受光率高。在專利文獻(xiàn)1中公開了背面接合型的太陽能電池。[0003] 專利文獻(xiàn)1所記載的太陽能電池具備：作為光電轉(zhuǎn)換層發(fā)揮功能的半導(dǎo)體基板、在半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)鹊囊徊糠忠来螌盈B的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第一電極層、以及在半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)鹊牧硪徊糠忠来螌盈B的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二電極層。[0004] 專利文獻(xiàn)1：日本特開2014?75526號公報[0005] 一般，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的刻畫圖案(第一次刻畫圖案)以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的刻畫圖案(第二次刻畫圖案)中，利用使用了光刻技術(shù)的蝕刻法。然而，在使用了光刻技術(shù)的蝕刻法中，例如需要旋涂法的光致抗蝕劑涂敷、光致抗蝕劑干燥、光致抗蝕劑曝光、光致抗蝕劑顯影、將光致抗蝕劑作為掩模使用的半導(dǎo)體層的蝕刻以及光致抗蝕劑剝離的工序，工序復(fù)雜。[0006] 關(guān)于該點，在專利文獻(xiàn)1中記載了在第二次刻畫圖案中，通過使用了剝離層(犧牲層)的剝離法，實現(xiàn)刻畫圖案的工序的簡化的技術(shù)。[0007] 在剝離法中，需要高效地剝離剝離層，在大量生產(chǎn)的情況下，如圖4所示，需要使用盒同時處理多個半導(dǎo)體基板。在這樣的情況下，存在在相鄰的半導(dǎo)體基板中，在一個半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)缺粍冸x(剝離)的剝離層再次大量地附著于另一個半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)冗@樣的問題。若被剝離后的剝離層再附著于太陽能電池的受光面?zhèn)?，則例如附著的剝離層在半導(dǎo)體基板表面漫反射，所以太陽能電池的性能降低，或外觀受損(受光面?zhèn)鹊脑O(shè)計性降低)。發(fā)明內(nèi)容[0008] 本發(fā)明目的在于提供一種即使進(jìn)行制造工序的簡化，也會抑制太陽能電池的性能降低以及太陽能電池的外觀受損的太陽能電池的制造方法。[0009] 本發(fā)明的太陽能電池的制造方法是具備半導(dǎo)體基板、層疊在上述半導(dǎo)體基板的與一個主面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的另一個主面?zhèn)鹊囊徊糠忠嗉吹谝粎^(qū)域的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及層疊在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個主面?zhèn)鹊牧硪徊糠忠嗉吹诙^(qū)域的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的背面接合型的太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池的制造方法包含以下工序：第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個主面?zhèn)刃纬缮鲜龅谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜；剝離層形成工序，在上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜上形成剝離層；第一半導(dǎo)體層形成工序，除去上述第二區(qū)域的上述剝離層以及上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，由此在上述第一區(qū)域形成圖案化的上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及上述剝離層；第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述第一區(qū)域的上述剝離層以及上述第二區(qū)域上形成上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜；以及第二半導(dǎo)體層形成工序，除去上述剝離層，由此除去上述第一區(qū)域的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，在上述第二區(qū)域形成圖案化的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，上述第二半導(dǎo)體層形成工序包含：至少一次蝕刻工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于除去上述剝離層的蝕刻溶液；以及至少一次沖洗工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于沖洗上述半導(dǎo)體基板的表面的沖洗溶液，在上述蝕刻工序以及上述沖洗工序中的至少一個工序中，在溶液中添加抑制被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜再附著于上述半導(dǎo)體基板的主面的附著抑制劑。[0010] 根據(jù)本發(fā)明，即使進(jìn)行太陽能電池的制造工序的簡化，也能夠抑制太陽能電池的性能降低以及太陽能電池的外觀受損。附圖說明[0011] 圖1是從背面?zhèn)扔^察本實施方式的太陽能電池的圖。[0012] 圖2是圖1的太陽能電池的II?II線剖視圖。[0013] 圖3A是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序以及剝離層形成工序的圖。[0014] 圖3B是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第一半導(dǎo)體層形成工序的圖。[0015] 圖3C是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第一半導(dǎo)體層形成工序的圖。[0016] 圖3D是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第一半導(dǎo)體層形成工序的圖。[0017] 圖3E是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序的圖。[0018] 圖3F是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第二半導(dǎo)體層形成工序的圖。[0019] 圖3G是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的光學(xué)調(diào)整層形成工序的圖。[0020] 圖4是用于說明圖3F所示的第二半導(dǎo)體層形成工序的剝離工序以及沖洗工序的圖。[0021] 圖5是用于說明圖3F所示的第二半導(dǎo)體層形成工序的剝離工序以及沖洗工序的圖。[0022] 圖6A是對實施例的太陽能電池的受光面進(jìn)行拍攝的拍攝數(shù)據(jù)(二值化)。[0023] 圖6B是對實施例的太陽能電池的受光面進(jìn)行拍攝的拍攝數(shù)據(jù)(二值化)。[0024] 圖6C是對實施例的太陽能電池的受光面進(jìn)行拍攝的拍攝數(shù)據(jù)(二值化)。[0025] 圖6D是對比較例的太陽能電池的受光面進(jìn)行拍攝的拍攝數(shù)據(jù)(二值化)。具體實施方式[0026] 以下，參照附加的附圖對本發(fā)明的實施方式一個例子進(jìn)行說明。此外，在各附圖中對相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的附圖標(biāo)記。另外，方便起見，有時也省略了陰影、部件附圖標(biāo)記等，在這種情況下，參照其它附圖。[0027] (太陽能電池)[0028] 圖1是從背面?zhèn)扔^察本實施方式的太陽能電池的圖。圖1所示的太陽能電池1是背面電極型的太陽能電池。太陽能電池1具備具有兩個主面的半導(dǎo)體基板11，在半導(dǎo)體基板11的主面具有第一區(qū)域7和第二區(qū)域8。[0029] 第一區(qū)域7呈所謂的梳型的形狀，具有相當(dāng)于梳齒的多個指部7f、和相當(dāng)于梳齒的支承部的母線部7b。母線部7b沿著半導(dǎo)體基板11的一個邊部向第一方向(X方向)延伸，指部7f從母線部7b向與第一方向(X方向)交叉的第二方向(Y方向)延伸。

[0030] 同樣，第二區(qū)域8是所謂的梳型的形狀，具有相當(dāng)于梳齒的多個指部8f、和相當(dāng)于梳齒的支承部的母線部8b。母線部8b沿著與半導(dǎo)體基板11的一個邊部對置的另一個邊部向第一方向(X方向)延伸，指部8f從母線部8b向第二方向(Y方向)延伸。[0031] 指部7f與指部8f在第一方向(X方向)上交替地設(shè)置。[0032] 此外，第一區(qū)域7以及第二區(qū)域8也可以形成為條紋狀。[0033] 圖2是圖1的太陽能電池的II?II線剖視圖。如圖2所示，太陽能電池1具備：半導(dǎo)體基板11、在半導(dǎo)體基板11的主面中的受光側(cè)的一個主面亦即受光面?zhèn)纫来螌盈B的本征半導(dǎo)體層13以及光學(xué)調(diào)整層15。另外，太陽能電池1具備：在半導(dǎo)體基板11的主面中的受光面的相反側(cè)的另一個主面亦即背面?zhèn)鹊囊徊糠?第一區(qū)域7)依次層疊的第一本征半導(dǎo)體層23、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及第一電極層27。另外，太陽能電池1具備：在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牧硪徊糠?第二區(qū)域8)依次層疊的第二本征半導(dǎo)體層33、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35以及第二電極層37。[0034] 半導(dǎo)體基板11由單晶硅或者多晶硅等結(jié)晶硅材料形成。半導(dǎo)體基板11例如是在結(jié)晶硅材料中摻雜了n型摻雜劑的n型半導(dǎo)體基板。作為n型摻雜劑例如可舉出磷(P)。[0035] 半導(dǎo)體基板11作為吸收來自受光面?zhèn)鹊娜肷涔舛晒廨d流子(電子以及空穴)的光電轉(zhuǎn)換基板發(fā)揮功能。[0036] 作為半導(dǎo)體基板11的材料使用結(jié)晶硅，由此即使在暗電流比較小，入射光的強度低的情況下，也能夠得到比較高的輸出(與照度無關(guān)地穩(wěn)定的輸出)。[0037] 半導(dǎo)體基板11也可以在背面?zhèn)染哂斜环Q為紋理構(gòu)造的金字塔型的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。由此，不被半導(dǎo)體基板11吸收而通過的光的回收效率高。[0038] 另外，半導(dǎo)體基板11也可以在受光面?zhèn)染哂斜环Q為紋理構(gòu)造的金字塔型的微細(xì)的凹凸構(gòu)造。由此，入射光的反射在受光面減少，半導(dǎo)體基板11的光封閉效果提高。[0039] 本征半導(dǎo)體層13形成于半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)取５谝槐菊靼雽?dǎo)體層23形成于半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域7。第二本征半導(dǎo)體層33形成于半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牡诙^(qū)域8。本征半導(dǎo)體層13、第一本征半導(dǎo)體層23以及第二本征半導(dǎo)體層33例如由實質(zhì)上以本征(i型)非晶硅為主要成分的材料形成。實質(zhì)上本征并不限于不包含導(dǎo)電型雜質(zhì)的完全本征的層，也包含在硅系層可作為本征層發(fā)揮功能的范圍內(nèi)含有微量的p型雜質(zhì)或者n型雜質(zhì)的弱p型或者弱n型的實質(zhì)上本征的層。[0040] 本征半導(dǎo)體層13、第一本征半導(dǎo)體層23以及第二本征半導(dǎo)體層33作為所謂的鈍化層發(fā)揮功能，抑制由半導(dǎo)體基板11生成的載流子的再結(jié)合，提高載流子的回收效率。[0041] 光學(xué)調(diào)整層15形成于半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊谋菊靼雽?dǎo)體層13上。光學(xué)調(diào)整層15作為防止入射光的反射的反射防止層發(fā)揮功能，并且作為保護(hù)半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)纫约氨菊靼雽?dǎo)體層13的保護(hù)層發(fā)揮功能。光學(xué)調(diào)整層15例如由將氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)或者氮氧化硅(SiON)那樣的它們的復(fù)合物作為主要成分的絕緣體材料形成。此外，光學(xué)調(diào)整層15也可以包含微量的p型雜質(zhì)或者n型雜質(zhì)。

[0042] 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25形成于第一本征半導(dǎo)體層23上、即半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域7。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25例如由非晶硅材料形成。第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25例如是在非晶硅材料中摻雜了p型摻雜劑的p型半導(dǎo)體層。作為p型摻雜劑例如可舉出硼(B)。[0043] 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35形成于第二本征半導(dǎo)體層33上、即半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牡诙^(qū)域8。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35例如由非晶硅材料形成。第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35例如是在非晶硅材料中摻雜了n型摻雜劑(例如，上述的磷(P))的n型半導(dǎo)體層。[0044] 此外，第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25也可以是n型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35也可以是p型半導(dǎo)體層。[0045] 另外，半導(dǎo)體基板11也可以是在結(jié)晶硅材料中摻雜了p型摻雜劑(例如，上述的硼(B))的p型半導(dǎo)體基板。[0046] 第一電極層27形成于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上。第二電極層37形成于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35上。[0047] 第一電極層27以及第二電極層37也可以包含透明電極層和金屬電極層，也可以僅包含金屬電極層。在本實施方式中，第一電極層27具有在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25上依次層疊的透明電極層28和金屬電極層29。第二電極層37具有在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35上依次層疊的透明電極層38和金屬電極層39。[0048] 透明電極層28、38由透明的導(dǎo)電性材料形成。作為透明導(dǎo)電性材料可舉出ITO(IndiumTinOxide：氧化銦以及氧化錫的復(fù)合氧化物)、ZnO(ZincOxide：氧化鋅)。金屬電極層29、39也可以由含有銀等金屬粉末的導(dǎo)電膏材料形成，也可以與由金屬鍍層形成。另外，金屬電極層29、39也可以由它們的復(fù)合體形成，例如，也可以在由含有銀的導(dǎo)電膏材料形成的基底上進(jìn)行鍍銅。[0049] (太陽能電池的制造方法)[0050] 接下來，參照圖3A～圖3G對圖1以及圖2所示的本實施方式的太陽能電池1的制造方法進(jìn)行說明。圖3A是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的本征半導(dǎo)體層形成工序、第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序以及剝離層形成工序的圖，圖3B～圖3D是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第一半導(dǎo)體層形成工序的圖。圖3E是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序的圖，圖3F是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的第二半導(dǎo)體層形成工序的圖。圖3G是表示本實施方式的太陽能電池的制造方法的光學(xué)調(diào)整層形成工序的圖。[0051] 首先，如圖3A所示，例如使用CD法(化學(xué)氣相堆積法)，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊恼麄€面上層疊(制膜)本征半導(dǎo)體層13(本征半導(dǎo)體層形成工序)。[0052] 另外，例如使用CD法，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)纫来螌盈B(制膜)第一本征半導(dǎo)體層材料膜23Z以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z(第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序)。[0053] 接下來，例如使用CD法，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊恼麄€面上，具體而言在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z上的整個面上層疊(制膜)剝離層(犧牲層)40(剝離層形成工序)。[0054] 剝離層40能夠例如由無機材料形成。在由氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、或者氮氧化硅(SiON)那樣的它們的復(fù)合物等材料形成的情況下，通過氫氟酸處理(氫氟酸、或者氫氟酸與其它種類的酸的混合物的處理)來進(jìn)行剝離，在由ITO、ZnO那樣的它們的復(fù)合物等材料形成的情況下，通過酸處理(鹽酸、硝酸或者它們與其它種類的酸的混合物的處理)來進(jìn)行剝離，容易被除去。[0055] 特別是在由上述氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)或者氮氧化硅(SiON)那樣的它們的復(fù)合物等材料形成剝離層40的情況下，通過將剝離層設(shè)為雙層以上的多個層結(jié)構(gòu)，得到更好的剝離性。例如，在雙層結(jié)構(gòu)的情況下，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z上以第一剝離層、第二剝離層的順序形成剝離層，這些層相對于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z的蝕刻液，滿足第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z的蝕刻速度＜第二剝離層的蝕刻速度＜第一剝離層的蝕刻速度…[關(guān)系式1]。[0056] 接下來，如圖3B～圖3D所示，例如使用抗蝕劑90，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)瘸サ诙^(qū)域8的第一本征半導(dǎo)體層材料膜23Z、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z以及剝離層40，由此在第一區(qū)域7形成圖案化的第一本征半導(dǎo)體層23、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及剝離層40(第一半導(dǎo)體層形成工序)。[0057] 具體而言，使用光刻法，在半導(dǎo)體基板11的兩面?zhèn)鹊恼麄€面上涂敷光致抗蝕劑之后，使用掩模使背面?zhèn)鹊牡诙^(qū)域8的光致抗蝕劑曝光以及顯影而除去。由此，如圖3B所示，形成覆蓋半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊牡谝粎^(qū)域7以及受光面?zhèn)鹊恼麄€面的抗蝕劑90。[0058] 然后，如圖3C所示，將抗蝕劑90作為掩模，對第二區(qū)域8的剝離層40、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z以及第一本征半導(dǎo)體層材料膜23Z進(jìn)行蝕刻，由此在第一區(qū)域7形成圖案化的第一本征半導(dǎo)體層23、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層25以及剝離層40。作為針對剝離層40、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜25Z以及第一本征半導(dǎo)體層材料膜13Z的蝕刻溶液例如使用氫氟酸和硝酸的混合液、在氫氟酸溶解了臭氧的臭氧?氫氟酸溶液等酸性溶液。[0059] 然后，如圖3D所示，除去抗蝕劑90。作為針對抗蝕劑90的剝離溶液，例如使用丙酮等有機溶劑。[0060] 接下來，如圖3E所示，例如使用CD法，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊恼麄€面上依次層疊(制膜)第二本征半導(dǎo)體層材料膜33Z以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜35Z(第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序)。[0061] 接下來，如圖3F所示，利用使用了剝離層(犧牲層)的剝離法，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)瘸サ谝粎^(qū)域7的第二本征半導(dǎo)體層材料膜33Z以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜35Z，由此在第二區(qū)域8形成圖案化的第二本征半導(dǎo)體層33以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35(第二半導(dǎo)體層形成工序)。[0062] 具體而言，除去剝離層40，由此除去剝離層40上的第二本征半導(dǎo)體層材料膜33Z以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜35Z，在第二區(qū)域8形成第二本征半導(dǎo)體層33以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層35。作為剝離層40的除去溶液，例如使用氫氟酸等酸性溶液。[0063] 接下來，如圖3G所示，例如使用CD法，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)鹊谋菊靼雽?dǎo)體層13上的整個面上層疊(制膜)光學(xué)調(diào)整層15(光學(xué)調(diào)整層形成工序)。[0064] 接下來，半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)刃纬傻谝浑姌O層27以及第二電極層37(電極層形成工序)。[0065] 具體而言，例如使用濺射法等PD法(物理氣相生長法)，在半導(dǎo)體基板11的背面?zhèn)鹊恼麄€面上層疊(制膜)透明電極層材料膜。然后，例如使用蝕刻膏的蝕刻法，除去透明電極層材料膜的一部分，由此形成圖案化的透明電極層28、38。作為針對透明電極層材料膜的蝕刻溶液例如使用鹽酸或者氯化鐵水溶液。[0066] 然后，例如使用圖案印刷法或者涂敷法，在透明電極層28上形成金屬電極層29，在透明電極層38上形成金屬電極層39，由此形成第一電極層27以及第二電極層37。[0067] 通過以上的工序，完成圖1以及圖2所示的本實施方式的背面電極型的太陽能電池1。

[0068] 這里，在剝離法中，需要高效地剝離剝離層，在大量生產(chǎn)的情況下，如圖4所示，必須使用盒同時處理多個半導(dǎo)體基板。在這樣的情況下，存在在相鄰的半導(dǎo)體基板中，在一個半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)葎冸x(剝離)后的剝離層再次大量地附著于另一個半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)冗@樣的問題。另外，然后若在半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)戎颇す鈱W(xué)調(diào)整層(SiN)，則存在被固定于半導(dǎo)體基板而不能剝離這樣的問題。當(dāng)被剝離后的剝離層再附著于太陽能電池的受光面時，例如附著的剝離層在半導(dǎo)體基板表面漫反射，所以太陽能電池的性能降低，或外觀受損(受光面?zhèn)鹊脑O(shè)計性降低)。[0069] 另外，由于被剝離(剝離)后的剝離層浮游在液面，所以也會再附著于半導(dǎo)體基板的背面?zhèn)?設(shè)備面?zhèn)?。若被剝離后的剝離層再附著于太陽能電池的背面，則作為接觸電阻工作，太陽能電池的FF降低。[0070] 作為避免這樣的問題的方法，公知有利用超聲波的方法。在超聲波處理中，再附著量雖減少，但太陽能電池的性能降低，所以不適合量產(chǎn)化。因此，謀求不使用超聲波設(shè)備而防止被剝離后的剝離層的再附著或者容易使再附著的剝離層剝離的方法。[0071] 關(guān)于該點，第二半導(dǎo)體層形成工序分別至少包含一次蝕刻工序和一次沖洗工序。例如如圖5所示，包含一次蝕刻工序、在蝕刻工序后依次進(jìn)行的多個沖洗工序(第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序……)。

[0072] 在蝕刻工序中，使半導(dǎo)體基板11浸漬(dip)在用于除去剝離層40的蝕刻溶液(蝕刻槽)。蝕刻溶液如上所述，例如使用氫氟酸等酸性溶液。[0073] 在沖洗工序中，使半導(dǎo)體基板11浸漬在用于沖洗半導(dǎo)體基板的表面的沖洗溶液(沖洗槽)。具體而言，在第一沖洗工序中，使半導(dǎo)體基板11浸漬在第一沖洗溶液(第一沖洗槽)，在第二沖洗工序中，使半導(dǎo)體基板11浸漬在第二沖洗溶液(第二沖洗槽)，在第三沖洗工序中，使半導(dǎo)體基板11浸漬在第三沖洗溶液(第三沖洗槽)。作為沖洗溶液(第一沖洗溶液、第二沖洗溶液以及第三沖洗溶液)，如后所述，為了進(jìn)行剝離，使用表面自由能(即、表面張力)大的溶液，例如水(H2O)、甘油。[0074] 在蝕刻工序以及沖洗工序中的至少一個工序中，在溶液中添加了抑制被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜再附著于半導(dǎo)體基板11的主面的附著抑制劑。作為附著抑制劑使用表面活性劑。作為表面活性劑可舉出陰離子系的表面活性劑、陽離子系的表面活性劑、兩性離子系的表面活性劑、非離子系的表面活性劑或者它們的混合劑。[0075] 表面活性劑也可以是含有芳香族構(gòu)造以及長鏈直鏈狀烷基構(gòu)造的有機酸。由此，高表面活性作用與表面自由能大的溶劑(例如水)的親和性提高。[0076] 另外，附著抑制劑除了表面活性劑之外，還可以含有穩(wěn)定劑、乳化劑、有機酸離子和有機酸鹽的緩沖液和/或pH調(diào)整劑等。[0077] 由此，被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜難以凝結(jié)，而分散在溶液中。由此，被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜難以再附著于半導(dǎo)體基板11的主面。另外，再附著于半導(dǎo)體基板11的主面的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜容易被剝離。

[0078] 此外，不僅是被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，還能夠抑制灰塵等向半導(dǎo)體基板11的主面的附著。[0079] 因此，根據(jù)本實施方式的太陽能電池的制造方法，即使利用剝離法進(jìn)行制造工序的簡化，也能夠抑制太陽能電池的性能降低以及太陽能電池的外觀的損傷。[0080] 此外，根據(jù)本申請發(fā)明者們的見解，表面活性劑優(yōu)選是陰離子系的表面活性劑或者陽離子系的表面活性劑或者它們的混合劑。由此，被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜再附著于半導(dǎo)體基板11的主面的抑制效果比較好。[0081] 這里，為了進(jìn)行剝離，需要表面張力之差，所以必須利用表面自由能大的水(H2O)先進(jìn)行剝離。另一方面，在剝離后，優(yōu)選是被剝離后的剝離層分散在溶液中的狀態(tài)，使得被剝離后的剝離層不會再附著于半導(dǎo)體基板。[0082] 關(guān)于該點，在沖洗工序中的第二次以后的沖洗工序中，優(yōu)選在沖洗溶液中添加附著抑制劑。此時，也可以提高沖洗溶液的溫度(例如，室溫以上且80度以下)。由此，通過蝕刻工序以及第一個的第一沖洗工序(H2O)先進(jìn)行剝離，在第二個以后的沖洗工序(H2O+添加劑)中，能夠設(shè)為分散在溶液中的狀態(tài)，以便被剝離后的剝離層不會再附著于半導(dǎo)體基板。因此，被剝離后的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜難以再附著于半導(dǎo)體基板11的主面。另外，再附著于半導(dǎo)體基板11的主面的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜容易被剝離。[0083] 此外，也可以在蝕刻工序以及第一沖洗工序之后，經(jīng)由基板干燥工序，進(jìn)行第二沖洗工序以后的工序，在第二個以后的沖洗工序(H2O+添加劑)中，能夠使被剝離后的剝離層不會再附著于半導(dǎo)體基板。[0084] 優(yōu)選含有表面活性劑的沖洗溶液的pH是7以上10以下。根據(jù)本申請發(fā)明者們的見解，在組合硅薄膜系的剝離層與硅系的半導(dǎo)體基板時，若沖洗溶液為堿性，則被剝離后的剝離層容易分散。由此，若含有表面活性劑的沖洗溶液的pH為7以上，則被剝離的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜更難再附著于半導(dǎo)體基板11的主面。[0085] 另一方面，若表面活性劑的沖洗溶液的pH大于10，則半導(dǎo)體基板10的受光面?zhèn)鹊谋菊靼雽?dǎo)體層溶解，導(dǎo)致太陽能電池的性能降低而不優(yōu)選。[0086] 此外，若在半導(dǎo)體基板的表面大量附著有表面活性劑，則預(yù)計會對太陽能電池的性能(例如，相對于時間的變化)產(chǎn)生不少影響。因此，優(yōu)選在沖洗工序中的最后的沖洗工序中，在沖洗溶液中不添加附著抑制劑。[0087] 根據(jù)本申請發(fā)明者們的見解，通過本實施方式的太陽能電池的制造方法制造出的背面電極型的太陽能電池1具有以下的特征。[0088] 在受光面?zhèn)鹊谋菊靼雽?dǎo)體層13與光學(xué)調(diào)整層15之間，[0089] ·剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜的再附著區(qū)域相對于受光面的面積所占的比例為2％以下，優(yōu)選是1％以下，[0090] ·再附著的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜的粒子的大小是20μm以下，[0091] ·在再附著的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜與本征半導(dǎo)體層之間存在空隙，換言之，再附著的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜沒有沿著半導(dǎo)體基板的紋理構(gòu)造而存在。[0092] 根據(jù)該背面電極型的太陽能電池1，如上所述，能夠抑制性能降低以及外觀(受光面?zhèn)?的損傷。[0093] 以上，雖說明了本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明并不限于上述實施方式，能夠進(jìn)行各種改變以及變形。例如，在上述實施方式中，雖例示了圖2所示異質(zhì)結(jié)型的太陽能電池1的制造方法，但本發(fā)明的特征并不限于異質(zhì)結(jié)型的太陽能電池，也能夠應(yīng)用于同質(zhì)結(jié)型的太陽能電池等各種太陽能電池的制造方法。[0094] 另外，在上述實施方式中，雖例示了具有結(jié)晶硅基板的太陽能電池，但并不限于此。例如，太陽能電池也可以具有砷化鎵(GaAs)基板。[0095] 實施例[0096] 以下，雖基于實施例具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于以下的實施例。[0097] (評價1)[0098] 根據(jù)圖3A～圖3E所示的工序，準(zhǔn)備圖3E所示的剝離前的半導(dǎo)體基板11。作為剝離層40使用了氧化硅(SiO)。[0099] 如圖4所示，使用盒同時對多個半導(dǎo)體基板11進(jìn)行了剝離處理。實施例11、12以及比較例11的剝離工序(圖5所示的蝕刻工序、第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序)的條件如下。[0100] (實施例11、12以及比較例11的共同條件)[0101] ＜蝕刻工序＞[0102] 蝕刻溶液：6.4％的氫氟酸(HF)[0103] 浸漬時間：8分鐘[0104] ＜第一沖洗工序＞[0105] 第一沖洗溶液：水(H2O)[0106] ＜第二沖洗工序＞[0107] 第二沖洗溶液：水(H2O)[0108] ＜第三沖洗工序＞[0109] 第三沖洗溶液：水(H2O)[0110] (實施例11)[0111] 在實施例11中，在第一沖洗工序的第一沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的花王株式會社制的衛(wèi)生唑B?50(陽離子系，主要含有烷基芐二甲基氨酰氯等。)。

[0112] (實施例12)[0113] 在實施例12中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的衛(wèi)生唑B?50(陽離子系)。

[0114] (比較例11)[0115] 在比較例11中，在蝕刻工序的蝕刻溶液以及第一～第三沖洗工序中的第一～第三沖洗溶液的任一個中，都沒有添加表面活性劑。[0116] 對實施例11、12以及比較例11的剝離性(○：好，△稍差)，以及剝離工序后的剝離的剝離層向半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊脑俑街?○：少，×多)進(jìn)行了評價。在表1中示出評價結(jié)果。[0117] [表1][0118][0119] 根據(jù)表1，在實施例12中，即若在沖洗工序的第二個第二沖洗工序的第二沖洗溶液中添加表面活性劑，則能夠維持剝離性并且能夠抑制受光面?zhèn)鹊脑俑街?。此外，即使在實施?1中，即在沖洗工序的第一個第一沖洗工序的第一沖洗溶液中添加了表面活性劑的情況下，也能夠抑制受光面?zhèn)鹊脑俑街0120] (評價2)[0121] 根據(jù)圖3A～圖3E所示的工序，準(zhǔn)備了圖3E所示的剝離前的半導(dǎo)體基板11。作為剝離層40使用了氧化硅(SiO)。[0122] 如圖4所示，使用盒同時對多個半導(dǎo)體基板11進(jìn)行了剝離處理。然后，使用旋轉(zhuǎn)干燥器使半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)雀稍?。然后，如圖3G所示，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)刃纬闪斯鈱W(xué)調(diào)整層15。作為光學(xué)調(diào)整層15使用了氮化硅(SiN)。[0123] 實施例21以及比較例21的剝離工序(圖5所示的蝕刻工序、第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序)的條件如下。[0124] (實施例21以及比較例21的共同條件)[0125] ＜蝕刻工序＞[0126] 蝕刻溶液：6.4％的氫氟酸(HF)[0127] ＜第一沖洗工序＞[0128] 第一沖洗溶液：水(H2O)[0129] ＜第二沖洗工序＞[0130] 第二沖洗溶液：水(H2O)[0131] ＜第三沖洗工序＞[0132] 第三沖洗溶液：水(H2O)[0133] (實施例21)[0134] 在實施例21中，在蝕刻工序的蝕刻溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的獅王株式會社制造的媽媽檸檬(陰離子系，主要含有烷基苯磺酸、烷基苯磺酸鈉、烷基醚硫酸酯鈉等。)。[0135] 浸漬時間：80秒[0136] (比較例21)[0137] 在比較例21中，在蝕刻工序的蝕刻溶液以及第一～第三沖洗工序的第一～第三沖洗溶液的任一個中，都沒有添加表面活性劑。[0138] 浸漬時間：40秒[0139] 對實施例21以及比較例21的剝離性(○：好，△稍差)、剝離工序后(由旋轉(zhuǎn)干燥器進(jìn)行的干燥后)的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○：好，△稍差)、以及光學(xué)調(diào)整層形成后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○：好，△稍差)進(jìn)行了評價。在表2中示出評價結(jié)果。[0140] [表2][0141][0142] 根據(jù)表1，即使在實施例21中，即在蝕刻工序的蝕刻溶液中添加了表面活性劑的情況下，也能夠抑制受光面?zhèn)鹊脑俑街?，也能夠抑制受光面?zhèn)鹊耐庥^的損傷。[0143] (評價3)[0144] 根據(jù)圖3A～圖3E所示的工序，準(zhǔn)備了圖3E所示的剝離前的半導(dǎo)體基板11。作為剝離層40使用了氧化硅(SiO)。[0145] 如圖4所示，使用盒同時對多個半導(dǎo)體基板11進(jìn)行了剝離處理。然后，使用旋轉(zhuǎn)干燥器使半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)雀稍铩Ｈ缓?，如圖3G所示，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)刃纬闪斯鈱W(xué)調(diào)整層15。作為光學(xué)調(diào)整層15使用了氮化硅(SiN)。[0146] 實施例31～34以及比較例31的剝離工序(圖5所示的蝕刻工序、第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序)的條件如下。[0147] (實施例31～34以及比較例31的共同條件)[0148] ＜蝕刻工序＞[0149] 蝕刻溶液：6.4％的氫氟酸(HF)[0150] 浸漬時間：10分鐘[0151] ＜第一沖洗工序＞[0152] 第一沖洗溶液：水(H2O)[0153] ＜第二沖洗工序＞[0154] 第二沖洗溶液：水(H2O)[0155] ＜第三沖洗工序＞[0156] 第三沖洗溶液：水(H2O)[0157] (實施例31)[0158] 在實施例31中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的衛(wèi)生唑(サニゾール)B?50(陽離子系)。

[0159] (實施例32)[0160] 在實施例32中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的媽媽檸檬(陰離子系)。

[0161] (實施例33)[0162] 在實施例33中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的2?烷基?N?羧甲基?N?羥基乙基咪唑啉(兩性離子系)。

[0163] (實施例34)[0164] 在實施例34中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的聚氧乙烯聚丙烯烷基醚(作為烷基的長度是C12?C16)(非離子系)。

[0165] (比較例31)[0166] 在比較例31中，在第二沖洗工序中，施加超聲波20秒。[0167] 對實施例31～34以及比較例31的第一沖洗工序后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(×差)、剝離工序后(由旋轉(zhuǎn)干燥器進(jìn)行的干燥后)的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○○：極好，○：好，△稍差)、以及光學(xué)調(diào)整層形成后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○○：極好，○：好，△稍差)進(jìn)行了評價。在表3示出評價結(jié)果。

[0168] [表3][0169][0170] 根據(jù)表3，與實施例33的兩離子系的表面活性劑以及實施例34的兩離子系的表面活性劑相比，實施例31的陽離子系的表面活性劑的受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч?，實施?2的陰離子系的表面活性劑的受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч谩0171] 此外，即使是實施例33的兩離子系的表面活性劑以及實施例34的兩離子系的表面活性劑，也能夠得到與使用了超聲波的情況相同的效果。[0172] 另外，在第一沖洗工序中，受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч伲谔砑恿吮砻婊钚詣┑牡诙_洗工序后，具有受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч0173] (評價4)[0174] 根據(jù)圖3A～圖3E所示的工序，準(zhǔn)備了圖3E所示的剝離前的半導(dǎo)體基板11。作為剝離層40使用了氧化硅(SiO)。[0175] 如圖4所示，使用盒同時對多個半導(dǎo)體基板11進(jìn)行了剝離處理。然后，使用旋轉(zhuǎn)干燥器使半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)雀稍铩Ｈ缓?，如圖3G所示，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)刃纬闪斯鈱W(xué)調(diào)整層15。作為光學(xué)調(diào)整層15使用了氮化硅(SiN)。[0176] 實施例41～44以及比較例41的剝離工序(圖5所示的蝕刻工序、第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序)的條件如下。[0177] (實施例41～44以及比較例41的共同條件)[0178] ＜蝕刻工序＞[0179] 蝕刻溶液：6.4％的氫氟酸(HF)[0180] 浸漬時間：8分鐘[0181] ＜第一沖洗工序＞[0182] 第一沖洗溶液：水(H2O)[0183] ＜第二沖洗工序＞[0184] 第二沖洗溶液：水(H2O)[0185] ＜第三沖洗工序＞[0186] 第三沖洗溶液：水(H2O)[0187] (實施例41)[0188] 在實施例41中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的媽媽檸檬(陰離子系)。

[0189] (實施例42)[0190] 在實施例42中，除了將表面活性劑的濃度設(shè)為0.16vol％這一點之外與實施例41相同。[0191] (實施例43)[0192] 在實施例43中，除了將表面活性劑的濃度設(shè)為0.24vol％(pH7左右)這一點之外與實施例41相同。[0193] (實施例44)[0194] 在實施例44中，除了將表面活性劑的濃度設(shè)為0.24vol％，還添加了6g/20L的Na2CO3(pH10左右)這些點之外與實施例41相同。[0195] (比較例41)[0196] 在比較例41中，在第二沖洗工序中，施加超聲波20秒。[0197] 對實施例41～44以及比較例41的第一沖洗工序后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(×差)、剝離工序后(由旋轉(zhuǎn)干燥器進(jìn)行的干燥后)的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○○○：更加極好，○○：極好，○：好，△稍差)、以及光學(xué)調(diào)整層形成后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^(○○○：更加極好，○○：極好，○：好，△稍差)進(jìn)行了評價。在表4中示出評價結(jié)果。[0198] [表4][0199][0200] 根據(jù)表3，表面活性劑的濃度越高，受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч胶?。此外，本申請發(fā)明者們重復(fù)進(jìn)一步的實驗，得到了以下的見解，即、優(yōu)選表面活性劑的濃度是0.001vol％以上10vol％以下，更優(yōu)選是0.01vol％以上5vol％以下，進(jìn)一步優(yōu)選是

0.1vol％以上1vol％以下。

[0201] 另外，根據(jù)表3，在實施例43、44中，即若將pH設(shè)為7以上，則受光面?zhèn)鹊脑俑街囊种菩Ч兇?。此外，若pH超過10，則受光面?zhèn)鹊谋菊靼雽?dǎo)體層溶解。[0202] (評價5)[0203] 根據(jù)圖3A～圖3E所示的工序，準(zhǔn)備了圖3E所示的剝離前的半導(dǎo)體基板11。作為剝離層40使用了氧化硅(SiO)。[0204] 如圖4所示，使用盒同時對多個半導(dǎo)體基板11進(jìn)行了剝離處理。然后，使用旋轉(zhuǎn)干燥器使半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)纫约氨趁鎮(zhèn)雀稍铩Ｈ缓?，如圖3G所示，在半導(dǎo)體基板11的受光面?zhèn)刃纬闪斯鈱W(xué)調(diào)整層15。作為光學(xué)調(diào)整層15使用了氮化硅(SiN)。[0205] 實施例51～53以及比較例51的剝離工序(圖5所示的蝕刻工序、第一沖洗工序、第二沖洗工序、第三沖洗工序)的條件如下。[0206] (實施例51～53以及比較例51的共同條件)[0207] ＜蝕刻工序＞[0208] 蝕刻溶液：6.4％的氫氟酸(HF)[0209] 浸漬時間：8分鐘[0210] ＜第一沖洗工序＞[0211] 第一沖洗溶液：水(H2O)[0212] ＜第二沖洗工序＞[0213] 第二沖洗溶液：水(H2O)[0214] ＜第三沖洗工序＞[0215] 第三沖洗溶液：水(H2O)[0216] (實施例51)[0217] 在實施例51中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.5vol％的媽媽檸檬(陰離子系)。

[0218] (實施例52)[0219] 在實施例52中，除了將表面活性劑的濃度設(shè)為1.0vol％這一點之外與實施例51相同。[0220] (實施例53)[0221] 在實施例53中，在第二沖洗工序的第二沖洗溶液中，作為表面活性劑添加了0.08vol％的聚氧乙烯聚丙烯烷基醚(作為烷基的長度為C12?C16)(非離子系)。

[0222] (比較例51)[0223] 在比較例51中，在蝕刻工序的蝕刻溶液以及第一～第三沖洗工序的第一～第三沖洗溶液的任一個中，都沒有添加表面活性劑。[0224] 測定了實施例51～53以及比較例51的光學(xué)調(diào)整層形成后的半導(dǎo)體基板的受光面?zhèn)鹊耐庥^。在圖6A～6D、表5中示出了測定結(jié)果。[0225] 圖6A～6D是向受光面垂直照射AM1.5的光，并且從傾斜方向拍攝受光面，對該拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行二值化處理后的受光面的拍攝數(shù)據(jù)。在圖6A～6D中，再附著的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜顯示為白色。[0226] 在表5中，示出根據(jù)圖6A～圖6D的二值化處理后的受光面拍攝數(shù)據(jù)，使用圖像處理軟件“ImageJ”計算出的、剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜的再附著區(qū)域相對于受光面的面積所占的比例。[0227] [表5][0228][0229] 附圖標(biāo)記的說明[0230] 1…太陽能電池[0231] 7…第一區(qū)域[0232] 7b、8b…母線部[0233] 7f、8f…指部[0234] 8…第二區(qū)域[0235] 11…半導(dǎo)體基板[0236] 13…本征半導(dǎo)體層[0237] 15…光學(xué)調(diào)整層[0238] 23…第一本征半導(dǎo)體層[0239] 23Z…第一本征半導(dǎo)體層材料膜[0240] 25…第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層[0241] 25Z…第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜[0242] 27…第一電極層[0243] 28、38…透明電極層[0244] 29、39…金屬電極層[0245] 33…第二本征半導(dǎo)體層[0246] 33Z…第二本征半導(dǎo)體層材料膜[0247] 35…第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層[0248] 35Z…第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層材料膜[0249] 37…第二電極層[0250] 40…剝離層[0251] 90…掩模。