本發(fā)明公開(kāi)了一種pMOSFET器件負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性壽命預(yù)測(cè)方法,包括:S1:施加負(fù)偏置應(yīng)力之前,測(cè)量pMOSFET器件的初始特性,得到初始器件參數(shù);S2:對(duì)該器件的柵極施加應(yīng)力條件,且漏極電壓為正常工作電壓,在預(yù)設(shè)的時(shí)間間隔內(nèi)對(duì)該器件進(jìn)行應(yīng)力老化測(cè)試;S3:對(duì)該器件進(jìn)行參數(shù)測(cè)試,得到與老化時(shí)間相關(guān)的器件參數(shù),直至總體應(yīng)力時(shí)間結(jié)束;S4:漏極電壓為正常工作電壓下,重復(fù)步驟S2和S3,進(jìn)行不同應(yīng)力條件測(cè)試,以器件參數(shù)退化到臨界點(diǎn)為準(zhǔn),得到相應(yīng)應(yīng)力條件下pMOSFET器件的失效時(shí)間;S5:利用不同應(yīng)力條件下pMOSFET器件的失效時(shí)間,預(yù)測(cè)柵極電壓為正常工作電壓條件下的器件可靠性壽命,本發(fā)明的方法得到的器件失效時(shí)間比常規(guī)方法更短,因此更能反映pMOSFET器件的NBTI壽命。