本實(shí)用新型涉及一種基于電磁場強(qiáng)化的等離子體化學(xué)氣相沉積的
石墨烯納米墻,包括襯底、石墨烯墻陣列及多個石墨烯分叉,所述石墨烯墻陣列垂直長在所述襯底上,多個所述石墨烯分叉長在所述石墨烯片一側(cè)或兩側(cè)。本實(shí)用新型的方法石墨烯墻生長速度和傳統(tǒng)技術(shù)相比有數(shù)倍提高,不存在石墨烯層之間的團(tuán)聚和堆疊,有利于后續(xù)制備超級電容器,鋰離子電容器時納米顆粒的吸附,進(jìn)而有利于提高納米顆粒在石墨烯片中的分散,同時以高表面積的石墨烯墻和石墨烯分叉作為介質(zhì)和模版進(jìn)行納米顆粒的生長,可以有效避免了納米顆粒在熱處理以及后續(xù)使用過程中的團(tuán)聚且可以極大的提高用該發(fā)明的石墨烯納米墻制備得到的超級電容器的比電容和導(dǎo)電率。
聲明:
“基于電磁場強(qiáng)化的等離子體化學(xué)氣相沉積的石墨烯納米墻” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)