本發(fā)明屬于微
納米材料領(lǐng)域,本發(fā)明公開一種高容量的層狀二硫化鍺(GeS
2)納米片及其制備方法和應(yīng)用。所述層狀二硫化鍺納米片是由鍺源和鈣源混合后在900℃~1050℃下經(jīng)退火Ⅰ,將所得產(chǎn)物加入鹽酸溶液中,在?20℃~?40℃攪拌,得到GeH,然后將GeH和硫源在650℃~850℃下經(jīng)退火Ⅱ,經(jīng)洗滌,干燥制得。本發(fā)明制備的層狀GeS
2單層厚度約為1.2nm,相比于利用機械力的高能球磨方法,本發(fā)明利用原位轉(zhuǎn)化法制備的GeS
2,完整地保持了GeH的層狀結(jié)構(gòu)。當其應(yīng)用在鋰離子電池
負極材料時,表現(xiàn)出高的可逆充放電容量以及優(yōu)異的循環(huán)壽命。
聲明:
“高容量的層狀二硫化鍺納米片及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)