一種中遠(yuǎn)紅外晶體LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其單晶體生長方法,它涉及中遠(yuǎn)紅外激光材料制備技術(shù)。它是要解決現(xiàn)有技術(shù)中8~10μm的遠(yuǎn)紅外波段缺乏合適的頻率轉(zhuǎn)換材料的技術(shù)問題,本方法如下:單質(zhì)硒放置于石英管底部,鎵、鍺和鋰放置于圓底PBN坩堝中,并將坩堝放入石英管中,石英管經(jīng)抽真空、熔封后放入傾斜旋轉(zhuǎn)電阻爐中。電阻爐經(jīng)加熱、保溫、降溫、冷卻熔融,獲得LiGaGe2Se6多晶原料。再采用水冷式垂直三溫區(qū)單晶生長爐,利用LiGaGe2Se6多晶原料生長LiGaGe2Se6單晶,生長過程中加入適量抑制劑抑制LiGaGe2Se6的分解,本發(fā)明的LiGaGe2Se6晶體可用于中、遠(yuǎn)紅外激光領(lǐng)域。
聲明:
“中遠(yuǎn)紅外晶體LiGaGe2Se6多晶原料合成方法及其單晶體生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)