本發(fā)明屬于
半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及基于聲表面波器件的動(dòng)態(tài)陣列
納米材料應(yīng)變平臺(tái)搭建及器件制備,其特征在于:引入的應(yīng)變范圍可以通過(guò)聲表面波器件的參數(shù)設(shè)計(jì)控制,并且可以通過(guò)通斷電來(lái)實(shí)現(xiàn)是否引入應(yīng)變。具體包括設(shè)置在最底層的EVB評(píng)估板,板中央固定128°Y鈮酸鋰襯底,襯底上設(shè)有規(guī)定方向預(yù)設(shè)圖形的金屬叉指電極,電極中央設(shè)有100um*100um的空白區(qū)域用以搭載二維材料,整個(gè)平臺(tái)通過(guò)外設(shè)驅(qū)動(dòng)供電。本發(fā)明的有益效果是為改善二維材料性能提供一種新的動(dòng)態(tài)陣列應(yīng)變平臺(tái),通過(guò)改變?cè)O(shè)計(jì)參數(shù)準(zhǔn)確控制應(yīng)變大小和范圍,靈活性強(qiáng),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)調(diào)控。
聲明:
“基于聲表面波器件的動(dòng)態(tài)陣列納米材料應(yīng)變平臺(tái)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)