2S6量子點(diǎn)的制備,加工技術(shù)"> 2S6量子點(diǎn)的制備,本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及高產(chǎn)率CuInP2S6量子點(diǎn)的制備,為開發(fā)一種能夠高產(chǎn)率高通量制備CuInP2S6低維材料的方法,本發(fā)明提供一種高產(chǎn)率CuInP2S6量子點(diǎn)的制備方法,將經(jīng)研磨后的CuInP2S6晶體與鋰的烷基衍生物混合均勻,進(jìn)行靜置處理;靜置后的產(chǎn)物經(jīng)清洗后與水混勻,進(jìn)行超聲分散處理;對(duì)超聲分散后的產(chǎn)物進(jìn)行離心收集上清液,上清液兌入無水乙醇后離心收集沉淀,沉淀經(jīng)清洗后再次兌入無水乙醇,離心收集沉淀,最后將沉淀進(jìn)行干燥得到CuInP">
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