實(shí)施方式提供包括磁阻效應(yīng)元件的磁存儲(chǔ)裝置,所述磁阻效應(yīng)元件設(shè)有具有優(yōu)異特性的隧道勢(shì)壘層。實(shí)施方式涉及的磁存儲(chǔ)裝置包括層疊構(gòu)造(10),所述層疊構(gòu)造具備具有可變的磁化方向的第1磁性層(11)、具有固定了的磁化方向的第2磁性層(12)以及設(shè)在所述第1磁性層與所述第2磁性層之間且含有鎂(Mg)以及氧(O)的非磁性層(13),所述非磁性層還含有從氟(F)、硫(S)、氫(H)以及鋰(Li)選擇的添加元素。
聲明:
“磁存儲(chǔ)裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)