本發(fā)明公開的Li、Na共摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的方法,采用的是脈沖 激光沉積法,首先將純氧化鋅、
碳酸鋰和碳酸鈉粉末球磨混合后壓制成型,燒 結(jié),制得摻Li2O和Na2O的ZnO靶材;然后在脈沖激光沉積裝置的生長室中, 以摻Li2O和Na2O的ZnO為靶材,以O(shè)2為生長氣氛,控制O2壓強5-30pa, 激光頻率為1-5Hz,生長溫度為300℃-600℃,在襯底生長p型ZnO晶體薄 膜。本發(fā)明方法可以實現(xiàn)實時摻雜;摻雜濃度可以通過調(diào)節(jié)生長溫度和靶材中 Li和Na的摩爾含量來控制。采用本發(fā)明方法制備的p型ZnO晶體薄膜具有良 好的電學(xué)性能,重復(fù)性和穩(wěn)定性。
聲明:
“LI、NA共摻雜生長P型ZNO晶體薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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