本發(fā)明屬于聚合物
太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種使用TiO2作為電子 傳輸層、CuPc作為空穴傳輸層、電極反型的聚合物太陽(yáng)能電池及其制備方法。 其是采用溶膠-凝膠技術(shù)在ITO玻璃襯底上生長(zhǎng)一層均勻致密的納米晶體二氧化 鈦(TiO2)薄膜,然后旋涂上一層二氯苯溶解的P3HT : PCBM溶液,退火后,使 用熱蒸發(fā)生長(zhǎng)一層一定厚度的酞菁銅(CuPc),最后蒸發(fā)金(Au)電極。利用 本方法制備的反型結(jié)構(gòu)聚合物太陽(yáng)能電池,解決了傳統(tǒng)的聚合物太陽(yáng)能電池中存 在的兩個(gè)問(wèn)題,即聚3,4-乙撐二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸混合溶液腐蝕ITO玻璃 表面,和陰極緩沖層氟化鋰(LiF)的厚度過(guò)薄,操作過(guò)程難于精確控制的問(wèn)題。
聲明:
“反型結(jié)構(gòu)聚合物太陽(yáng)能電池及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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