在本文中提供了用于鋰離子蓄電池電極的納米結(jié)構(gòu)及制作方法。在一些實施方案中,提供了涂覆有硅涂層的納米結(jié)構(gòu)模板。該桂圖層可包括非共形的更加多孔的層和該非共形的更加多孔的層上的共形的致密層。在一些實施方案中,使用了兩種不同的沉積工藝,例如使用PECVD層來沉積該非共形的層并且使用熱CVD工藝來沉積該共形的層。包括該納米結(jié)構(gòu)的陽極具有比使用單獨PECVD工藝或熱CVD方法制作的陽極長的循環(huán)壽命。
聲明:
“硅在納米線上的結(jié)構(gòu)受控的沉積” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)