本發(fā)明公開一種以微硅粉為Si源制備石墨基Si@C
負(fù)極材料的方法,所述方法為:將微硅粉進(jìn)行預(yù)處理,然后與鎂粉進(jìn)行球磨混合、還原反應(yīng),再經(jīng)酸洗、離心干燥,即得多孔晶體Si顆粒;將所制備的多孔晶體Si在配置好的PH為8.5的Tris緩沖溶液中與多巴胺均勻混合,使聚多巴胺沉積在Si顆粒的表面,對(duì)Si進(jìn)行包覆,制備出Si@C核殼結(jié)構(gòu)的復(fù)合體材料。該復(fù)合體材料擁有優(yōu)異的
電化學(xué)性能,具有較高的比容量、長(zhǎng)循環(huán)壽命及高的容量保持率,穩(wěn)定的循環(huán)壽命;碳層與其包裹的Si粒子的孔道結(jié)構(gòu),也為鋰離子的脫、嵌縮短了擴(kuò)散距離與時(shí)間;包覆的碳層增強(qiáng)了Si的導(dǎo)電性;Si@C核殼結(jié)構(gòu)也避免了電解液與Si直接接觸,形成不穩(wěn)定的SEI膜。
聲明:
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