本發(fā)明公開了一種低內(nèi)阻三元單晶極片的制備方法,將
鈣鈦礦?鈦酸鑭鋰和
石墨烯材料作為包覆材料包覆于三元單晶材料的表面,使得極片活性材料具有良好的離子導(dǎo)電性和電子導(dǎo)電性,大大降低了材料本體內(nèi)阻。本發(fā)明通過控制三元單晶/鈦酸鑭鋰/石墨烯
復(fù)合材料的粒徑分布、導(dǎo)電劑和正極集流體的選擇,使得電極擁有更好的孔結(jié)構(gòu),利于Li+擴(kuò)散,更易形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),涂碳鋁箔的選擇明顯降低活性顆粒與集流體的接觸阻抗,且可降低電池在使用過程中內(nèi)阻的增幅。本發(fā)明制得的低內(nèi)阻三元單晶極片,比常規(guī)三元單晶極片內(nèi)阻低50?80%左右,解決了三元單晶材料由于顆粒大、Li
+擴(kuò)散困難、倍率差、極化大的問題,非常有利于單晶三元材料的大規(guī)模使用。
聲明:
“低內(nèi)阻三元單晶極片的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)