本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合單晶壓電襯底薄膜及其制備方法,制備方法包括對(duì)拋光、清洗后單晶晶圓采用離子注入法注入He
+或者H
+時(shí),調(diào)控單晶晶圓中心位置與邊緣位置的注入劑量參數(shù)和/或溫度參數(shù),得到單晶晶圓注入片;本發(fā)明的一種復(fù)合單晶壓電襯底薄膜的制備方法簡(jiǎn)單易行,退火分離時(shí)不需要涂膠加壓或機(jī)械分離,能夠避免現(xiàn)有工藝中機(jī)械撕裂,劃傷晶片的問(wèn)題;采用本發(fā)明的制備方法所得的晶片缺陷率低,成品率能達(dá)到99%以上,而現(xiàn)有技術(shù)的成品率一般在80%以下;并且在襯底不斷裂的情況下完整分離鈮酸鋰/鉭酸鋰薄膜的制備工藝,能滿足大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)的需要,具有良好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
聲明:
“復(fù)合單晶壓電襯底薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)