一種光子
芯片及其制備方法,芯片包括鈮酸鋰薄膜調(diào)制器陣列(1)、第一光耦合陣列(2)和二氧化硅波導(dǎo)波分復(fù)用器(3),其中:鈮酸鋰薄膜調(diào)制器陣列(1)由一個(gè)及以上的鈮酸鋰薄膜調(diào)制器組成,用于對光信號進(jìn)行調(diào)制;第一光耦合陣列(2)由一個(gè)及以上的第一光耦合結(jié)構(gòu)組成,第一光耦合結(jié)構(gòu)的一端連接至對應(yīng)的鈮酸鋰薄膜調(diào)制器,并且其另一端連接至二氧化硅波導(dǎo)波分復(fù)用器(3),以將調(diào)制后的光信號傳輸至二氧化硅波導(dǎo)波分復(fù)用器(3);二氧化硅波導(dǎo)波分復(fù)用器(3)用于對調(diào)制后的光信號進(jìn)行波分復(fù)用。實(shí)現(xiàn)了片上鈮酸鋰薄膜調(diào)制器與片上波分復(fù)用結(jié)構(gòu)的單芯片集成,并提高了器件集成度。
聲明:
“光子芯片及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)