本發(fā)明涉及摻雜鋰的金剛石:摻雜了鋰和氮的低 電阻率的n-型半導(dǎo)體金剛石,以及制備這種金剛石的方法。 低電阻率的n-型半導(dǎo)體金剛石一共包含 1017cm- 3或者更多的鋰原子和氮原子,其中鋰原子被摻 雜到碳原子晶格間隙位置,氮原子被摻雜到碳原子的置換位置 上,鋰和氮保持互相相鄰的排列。為了得到低電阻率的n-型 半導(dǎo)體金剛石,在金剛石氣相合成方法中,利用真空紫外光通 過光激發(fā)光離解源材料和用準(zhǔn)分子激光照射鋰源材料以散射 并提供鋰原子,使得金剛石得以被制造出來。
聲明:
“低電阻率n-型半導(dǎo)體金剛石及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)