本發(fā)明公開了一種低損耗鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)的制備方法,首先采用LNOI作為初始材料;然后在LN薄膜層的表面鍍一層100nm厚的SiO
2膜,并對其進行光刻,制作出條狀結(jié)構(gòu)的2~3μm寬的SiO
2掩模;接著把光刻后的樣品在520~550℃下LRVTE處理10~20個小時,得到LRVTE區(qū)域,將所述LRVTE區(qū)域的單晶LN薄膜制作成光波導(dǎo);最后去除SiO
2掩模,并對樣品的端面進行拋光處理。本發(fā)明采用LRVTE技術(shù)制作的LN薄膜光波導(dǎo)的芯層晶格結(jié)構(gòu)未受損傷,各項光學(xué)指標(biāo)完好地保留了鈮酸鋰體材料的固有的典型數(shù)值,可以實現(xiàn)較低的傳輸損耗低。
聲明:
“低損耗鈮酸鋰薄膜光波導(dǎo)的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)