本發(fā)明提出一種鉭酸鋰晶片異質(zhì)鍵合的方法,包括以下步驟:將單晶硅片與鉭酸鋰晶片相對(duì)設(shè)置,保持單晶硅片表面的薄膜層與鉭酸鋰晶片相對(duì)設(shè)置,放入鍵合機(jī);中溫加熱,并維持至少1h,完成一次鍵合,形成一次鍵合體;將一次鍵合體放入退火爐,高溫加熱退火,完成二次鍵合;其中,單晶硅片表面的薄膜層與
碳酸鋰晶片層為異種材質(zhì);發(fā)明采用中溫一次鍵合之后,又基于兩種材質(zhì)熱膨脹系數(shù)不同的特性,設(shè)計(jì)了高溫二次鍵合,即退火工藝,通過退火改變兩層之間的結(jié)合鍵的類型,增強(qiáng)兩層之間的結(jié)合力,避免層與層之間的剝離。
聲明:
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