本發(fā)明公布了一種鉭酸鋰薄膜離子束增強沉積制備工藝方法,涉及
功能材料薄膜的制備技術(shù)。該工藝方法選用以高純度醋酸鋰與五氧化二鉭經(jīng)過壓制燒結(jié)而成濺射靶,用高純Ar氣產(chǎn)生的氬離子束對靶材進行轟擊,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上濺射沉積均勻、致密、與襯底粘附良好、與CMOS工藝兼容、低介電損耗、低漏電、高剩余極化強度的鉭酸鋰薄膜。所制備的鉭酸鋰薄膜,結(jié)晶擇優(yōu)取向為、;剩余極化強度在10-20μC/cm2之間;在測試電場400kV/cm作用下漏電流為4.76×10-8A/cm2;介電損耗為0.045。
聲明:
“鉭酸鋰薄膜離子束增強沉積制備工藝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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