本發(fā)明公開了一種可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器,包括:含有集成電路結(jié)構(gòu)的硅基底晶片、鍵合于硅基底晶片上表面的光學(xué)級鈮酸鋰薄膜及其中的電光調(diào)制器光學(xué)波導(dǎo)、制作于光學(xué)級鈮酸鋰薄膜上表面的金屬薄膜電極、金屬薄膜電極與集成電路結(jié)構(gòu)之間的電互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過常規(guī)CMOS工藝實現(xiàn)了硅基集成電路與鈮酸鋰電光調(diào)制器的混合集成,可滿足下一代光通信技術(shù)發(fā)展對光器件與信號處理模塊集成化的要求,進(jìn)一步提升光模塊的性能、體積、功耗、可靠性等指標(biāo),降低光模塊的制造成本。本發(fā)明還提供了一種制造的上述的可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器的制造方法。
聲明:
“可兼容CMOS工藝的硅基鈮酸鋰混合集成電光調(diào)制器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)