本發(fā)明涉及氫化鋰單晶制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種氫化鋰單晶的制備方法及使用的裝置。本發(fā)明提供了一種氫化鋰單晶的制備方法:在氫氣的氣氛中,處于靜止?fàn)顟B(tài)的液態(tài)氫化鋰在移動(dòng)溫度場(chǎng)中生長(zhǎng)單晶;所述生長(zhǎng)單晶時(shí),固液界面處的液態(tài)氫化鋰的溫度梯度≤10℃/cm,所述移動(dòng)溫度場(chǎng)由加熱裝置移動(dòng)形成。本發(fā)明提供的制備方法之制備得到的氫化鋰單晶晶體缺陷少品質(zhì)高。由實(shí)施例的結(jié)果表明,本發(fā)明提供的制備方法制備的氫化鋰單晶呈半透明狀,X射線衍射峰僅有(002)和(004)衍射峰,衍射峰強(qiáng)度高而尖銳,表明氫化鋰單晶的階梯缺陷少,單晶品質(zhì)高。
聲明:
“氫化鋰單晶的制備方法及使用的裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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