本發(fā)明公開了一種T結(jié)構(gòu)電極背面光纖連接的硅基薄膜鈮酸鋰調(diào)制器及方法。包括層疊的襯底、埋氧層、鈮酸鋰層和包層,鈮酸鋰層上形成薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo),薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)包含輸入輸出光柵耦合器、兩個(gè)分束器和馬赫曾德爾結(jié)構(gòu);馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)的包層上設(shè)T結(jié)構(gòu)金屬電極、金屬行波信號(hào)電極和金屬行波接地電極;馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)兩臂間有金屬行波信號(hào)電極,金屬行波信號(hào)電極位于馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)兩臂之間,馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)兩臂外設(shè)有金屬行波接地電極。光柵耦合器的包層上設(shè)有金屬反射鏡,光纖從
芯片背面連接光柵耦合器,因此鈮酸鋰調(diào)制器可倒裝焊接于芯片底座上,本發(fā)明首次在硅基襯底下同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超低功耗,超大電光帶寬的薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器。
聲明:
“T結(jié)構(gòu)電極背面光纖連接的硅基薄膜鈮酸鋰調(diào)制器及方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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