本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基于內(nèi)擴(kuò)散和離子注入的鈮酸鋰波導(dǎo)制備方法,包括以下步驟:獲取鈮酸鋰晶體;在所述鈮酸鋰晶體表面沉積鈦層,將沉積有鈦層的鈮酸鋰晶體進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散處理,獲得鈦擴(kuò)散后的鈮酸鋰晶體;對(duì)所述鈦擴(kuò)散后的鈮酸鋰晶體進(jìn)行清洗處理,去除所述光刻處理后殘留的光刻膠以及所述高溫?cái)U(kuò)散處理后殘余的鈦層;對(duì)所述鈦擴(kuò)散后的鈮酸鋰晶體進(jìn)行區(qū)域離子注入處理,獲得注入離子后的鈮酸鋰晶體;其中,所述區(qū)域離子注入處理中注入的離子為能夠提高所述鈮酸鋰晶體抗光折變性的離子;對(duì)所述注入離子后的鈮酸鋰晶體進(jìn)行退火處理。該制備方法在內(nèi)擴(kuò)散技術(shù)的基礎(chǔ)上注入能夠提高鈮酸鋰抗光折變性的離子,能夠有效減小鈮酸鋰光波導(dǎo)光損傷效應(yīng)。
聲明:
“基于內(nèi)擴(kuò)散和離子注入的鈮酸鋰波導(dǎo)制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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