本發(fā)明公開(kāi)了一種用于人工光合作用的氮化鎵基器件,自下而上有玻璃襯底、鉬層、CIGS層、CdS層、本征ZnO層、TCO層、鍵合界面層、GaN層、InGaN層、NiO納米顆粒層。其制備步驟如下:在玻璃襯底上沉積鉬層,在其上共蒸發(fā)生長(zhǎng)CIGS層,再依次沉積CdS層、ZnO層、TCO層;在GaN襯底上生長(zhǎng)InGaN層;通過(guò)鍵合技術(shù)將GaN襯底鍵合于TCO層上,再在InGaN層表面生長(zhǎng)NiO納米顆粒層,獲得用于人工光合作用的氮化鎵基器件。本發(fā)明的氮化鎵基器件具有吸收系數(shù)高、電流易調(diào)整且穩(wěn)定性高的優(yōu)點(diǎn),可作為光陽(yáng)極材料用于人工光合作用中,對(duì)減少二氧化碳排放以及新能源的開(kāi)發(fā)利用具有非常重要的意義。
聲明:
“用于人工光合作用的氮化鎵基器件及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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