本發(fā)明公開了一種固相插層法制備高熵層狀化合物的方法,所述高熵層狀化合物的分子式表達為(HEM)
xMX
2,其中HEM為元素周期表中的任意四種或四種以上金屬元素的組合,元素總量為
x,
,M為過渡族金屬元素,X為S、Se、Te元素中的一種。本發(fā)明采用固相插層法合成了一系列的過渡族金屬層狀化合物(HEM)
xMX
2,即在MX
2層與層之間引入一層高熵原子層,可以對其插層量進行調(diào)控,從而得到不同的晶體結(jié)構(gòu),該系列材料在新能源等應(yīng)用領(lǐng)域具有巨大潛力,本發(fā)明的制備方法簡易,反應(yīng)周期短,成本低,可以獲得高純度的產(chǎn)物。
聲明:
“固相插層法制備高熵層狀化合物的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)