本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電基底負(fù)載的二硫化錫?硫化鎳核殼異質(zhì)多孔納米墻陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法,屬于
新能源材料制備技術(shù)領(lǐng)域。在本產(chǎn)品中,構(gòu)成納米墻的納米片內(nèi)部是二硫化錫,殼層為均勻包覆的多孔硫化鎳,且納米墻垂直于導(dǎo)電基底形成均勻陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明產(chǎn)品的合成方法,首先通過溶劑熱法制備出導(dǎo)電基底負(fù)載的二硫化錫納米片陣列結(jié)構(gòu);然后以此為模板,以氯化鎳作為鎳源,在二次溶劑熱過程中在二硫化錫表面均勻生長出多孔硫化鎳薄層;最終獲得所述產(chǎn)品。本方法原材料簡單易得、設(shè)備和制備過程簡單、工藝參數(shù)可控性強(qiáng)、產(chǎn)品收率高、生產(chǎn)過程清潔環(huán)保、易實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn);所述納米結(jié)構(gòu)密度大、產(chǎn)量大、純度高、形貌可控,
電化學(xué)儲能性能優(yōu)異。
聲明:
“二硫化錫-硫化鎳核殼異質(zhì)多孔納米墻陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)