本發(fā)明公開了一種氮摻雜
石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布
復(fù)合材料電極、其應(yīng)用及其制備方法,以生長在碳布上的二維Co?MOF作為模板,通過高溫?zé)崃呀庵苽涑龆嗫滋技{米片陣列,采用堿催化水相分子融合法制備高濃度氮摻雜石墨烯量子點,通過電沉積將N?GQDs負(fù)載到Co?MOF衍生的多孔碳納米片陣列上,構(gòu)筑氮摻雜石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布復(fù)合電極,形成自支撐結(jié)構(gòu),主要由碳元素組成,是綠色、無毒且環(huán)境友好的電極材料。本粉末方法過程簡單,所制備的N?GQD/CNS/CC復(fù)合電極具有高電容性能,本發(fā)明方法制備的N?GQD/CNS/CC電極在新能源納米器件技術(shù)領(lǐng)域展示出誘人的應(yīng)用前景。
聲明:
“氮摻雜石墨烯量子點/多孔碳納米片陣列/碳布復(fù)合材料電極、其應(yīng)用及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)