3SnS4吸收層的方法,新能源"> 3SnS4吸收層的方法,本發(fā)明涉及一種綁定單靶濺射制備Cu3SnS4吸收層的方法，屬于光電薄膜材料及新能源技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將預(yù)處理襯底放置到磁控濺射腔室內(nèi)的樣品架上，將綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材安裝于磁控濺射腔室內(nèi)，調(diào)整綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材和濺射腔體內(nèi)基底之間的靶基距為80~90mm；將濺射室內(nèi)本底真空度抽至2.0×10?4~6.0×10?4Pa，設(shè)定工作真空度為0.4~0.5Pa，襯底溫度為80~320℃、樣品旋轉(zhuǎn)速度為10~20r/min，工藝氣體的流量為20~30sc">

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綁定單靶濺射制備Cu3SnS4吸收層的方法

1181   編輯：管理員   來源：中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 20:18:19
本發(fā)明涉及一種綁定單靶濺射制備Cu3SnS4吸收層的方法，屬于光電薄膜材料及新能源技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將預(yù)處理襯底放置到磁控濺射腔室內(nèi)的樣品架上，將綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材安裝于磁控濺射腔室內(nèi)，調(diào)整綁定純銅靶的三元銅錫硫靶材和濺射腔體內(nèi)基底之間的靶基距為80~90mm；將濺射室內(nèi)本底真空度抽至2.0×10?4~6.0×10?4Pa，設(shè)定工作真空度為0.4~0.5Pa，襯底溫度為80~320℃、樣品旋轉(zhuǎn)速度為10~20r/min，工藝氣體的流量為20~30sccm；預(yù)濺射除去靶材表面雜質(zhì)；在襯底上采用綁定純銅靶的三元銅錫硫靶直流濺射沉積銅錫硫(Cu3SnS4)前驅(qū)體層薄膜，其中濺射功率為30~70w，銅錫硫Cu3SnS4前驅(qū)體層薄膜厚度為790~810nm；在氮氣氛圍下，將銅錫硫(Cu3SnS4)前驅(qū)體層薄膜置于過量硫粉中進行硫化退火處理得到Cu3SnS4吸收層。
聲明：
“綁定單靶濺射制備Cu3SnS4吸收層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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