本發(fā)明公開了一種基于核/殼結構硅納米線的肖特基二極管制備方法,該方法包括:硅片清洗、背電極制備、硅納米線制備、硅納米線間隙填充及沉積Pt薄膜等步驟;其硅納米線為核/殼結構,硅為核、表面氧化層為殼,在應用時無需去除表面氧化層,所制備的肖特基二極管電流傳輸機制為缺陷輔助隧穿機制,具有優(yōu)良的整流特性,在納米器件領域和新能源領域具有廣闊的應用前景。本發(fā)明具有制備方法簡單,對環(huán)境、成本要求低,高重復性,適用于大規(guī)模工業(yè)生產。
聲明:
“基于核/殼結構硅納米線組的肖特基二極管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)