本發(fā)明公開了一種超級(jí)結(jié)碳化硅MOSFET器件及其制作方法，主要解決現(xiàn)有高壓碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻較大的問(wèn)題。該器件包括：源極（1）、柵極（2）、柵氧介質(zhì)（3）、N型源區(qū)（4）、P阱區(qū)（5）、JEFT區(qū)（6）、P型外延柱區(qū)（7）、N-外延（8）、P型襯底柱區(qū)（9）、N+襯底（10）和漏極（11），其中在P阱的正下方的N+襯底與N-外延的部分分別設(shè)有P型外延柱區(qū)（7）和P型襯底柱區(qū)（9），本發(fā)明可以有效降低器件的導(dǎo)通電阻，同時(shí)改善器件體內(nèi)的電場(chǎng)分布，提高器件的耐壓。本發(fā)明器件具有擊穿電壓高，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，可用于電力電子變壓器，新能源發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。