一種晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜性能的方法,涉及一種熱電材料調(diào)控方法,屬于
新能源材料領(lǐng)域,本發(fā)明方法解決現(xiàn)有技術(shù)中晶界結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)隨著溫度、壓力和化學(xué)勢等熱力學(xué)參數(shù)的變化產(chǎn)生不連續(xù)地變化等問題。該方法包括以下過程:第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶為靶材,采用磁控濺射技術(shù)在加熱基底上制備n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn為原料,采用蒸發(fā)技術(shù),在n型Bi2Te3薄膜的表面鍍上Sn。第三步采用保護氣退火爐對鍍Sn后的n型Bi2Te3在高溫下退火后,隨爐冷卻,以獲得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本發(fā)明方法為低溫發(fā)電微型器件的性能優(yōu)化提供高性能、低成本、設(shè)備簡單、工藝簡單、操作易控、性能均勻、穩(wěn)定的優(yōu)化工藝方案。
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“晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)