本發(fā)明涉及一種新型聚碳
硅烷及其制備方法,采用格式試劑偶聯(lián)方法制備聚碳硅烷陶瓷前驅(qū)體,分子結(jié)構(gòu)中同時(shí)含有Si-H鍵和C≡C等不飽和基團(tuán),在一定的溫度下可自身交聯(lián)固化,固化失重低,工藝性好,通過調(diào)節(jié)反應(yīng)物氯硅烷單體的官能度、投料比,以及優(yōu)化反應(yīng)條件,可有效調(diào)節(jié)前驅(qū)體中Si/C比及前驅(qū)體產(chǎn)物的工藝性能,得到的產(chǎn)物具有優(yōu)異的耐熱性,陶瓷產(chǎn)率高,陶瓷中自由碳含量低,SiC陶瓷相純度高,適于作為高性能SiC陶瓷前驅(qū)體,可用于超高溫陶瓷基
復(fù)合材料浸漬基體,亦可用于SiC陶瓷涂層、纖維等高性能材料的制備。
聲明:
“新型聚碳硅烷及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)