本發(fā)明公開了一種具有表面碳納米墻的硅基
負(fù)極材料及其制備方法和電池,所
硅基負(fù)極材料由90wt%?99.9wt%的硅基材料與0.1wt%?10wt%的在硅基材料表面原位生長的碳材料納米墻復(fù)合而成;硅基材料為含有
電化學(xué)活性硅的粉體材料,包括納米硅碳
復(fù)合材料、氧化亞硅材料、改性氧化亞硅材料和無定型硅合金的一種或者幾種的混合;電化學(xué)活性硅占硅基材料的0.1wt%?90wt%;碳材料納米墻包括碳納米墻和/或
石墨烯納米墻,高度為5?50nm,厚度為1?10nm;硅基負(fù)極材料的拉曼圖譜中在510±10cm
?1具有晶態(tài)峰;碳材料納米墻的g/d為0.30以上、0.70以下;硅基負(fù)極材料的XRD圖譜中在28.4°±0.2°具有衍射峰。
聲明:
“具有表面碳納米墻的硅基負(fù)極材料及其制備方法和電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)