本申請屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種復(fù)合電介質(zhì)材料的制備方法及復(fù)合電介質(zhì)材料。目前廣泛研究的具有高
儲能性能的復(fù)合電介質(zhì)材料通常采用鐵電聚偏氟乙烯基聚合物基體以及鐵電陶瓷粒子進(jìn)行復(fù)合制備,這導(dǎo)致復(fù)合電介質(zhì)材料的低儲能密度及高能量損耗。本申請?zhí)峁┮环N復(fù)合電介質(zhì)材料的制備方法,包括如下步驟:a.聚合物基體接枝改性;b.無機(jī)粒子表面功能化改性;c.聚合物基體與無機(jī)粒子共混預(yù)制成膜;d.預(yù)制膜的拉伸。該
復(fù)合材料具有較高介電常數(shù)及擊穿場強(qiáng),從而其儲能密度值有所提升,同時,由于聚合物基體自身損耗的降低及高絕緣二維粒子取向排列引發(fā)的漏導(dǎo)電流的減小,會賦予最終復(fù)合電介質(zhì)高的儲能密度及能量釋放效率。
聲明:
“復(fù)合電介質(zhì)材料的制備方法及復(fù)合電介質(zhì)材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)