一種使用高熵合金連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法,涉及一種連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本發(fā)明是要解決目前SiC陶瓷的連接技術(shù)在核應(yīng)用背景下效果較差的技術(shù)問題。本發(fā)明中使用的連接溫度較低,并未達(dá)到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔點(diǎn),主要通過高熵合金中的Ni和Cr元素與SiC反應(yīng),在界面生成局部瞬時(shí)液相實(shí)現(xiàn)連接,可以實(shí)現(xiàn)低溫連接和高溫使用。本發(fā)明利用具有優(yōu)異的高溫性能和抗輻照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作為連接材料來連接SiC陶瓷或SiCf/SiC
復(fù)合材料,有望使得該焊接結(jié)構(gòu)在核電領(lǐng)域運(yùn)用,提高核電包殼材料的可靠性。
聲明:
“使用高熵合金連接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)